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1. (WO2017199768) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
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Pub. No.:    WO/2017/199768    International Application No.:    PCT/JP2017/017272
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 02.05.2017
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 8/00 (2006.01), G03F 7/16 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: NISHIMAKI, Hirokazu; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Agent: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2016-101585 20.05.2016 JP
Title (EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a novel resist underlayer film forming composition. [Solution] A resist underlayer film forming composition which contains a solvent and a polymer having a repeating structural unit that is represented by formula (1a) and/or formula (1b). (In formulae (1a) and (1b), each of two R1 moieties independently represents an alkyl group, an alkenyl group, an aromatic hydrocarbon group, a halogen atom, a nitro group or an amino group; each of two R2 moieties independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an acetal group, an acyl group or a glycidyl group; R3 represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group; R4 represents a hydrogen atom, a phenyl group or a naphthyl group; each of two subscripts k independently represents 0 or 1; m represents an integer of 3 to 500; p represents an integer of 3 to 500; and X represents a benzene ring, and two -C(CH3)2- groups bonded to the benzene ring are at the meta position or the para position.)
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La solution consiste en une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui contient un solvant et un polymère ayant un motif structural répétitif qui est représenté par la formule (1a) et/ou la formule (1b). (Dans les formules (1a) et (1b), chacune des deux fractions R1 représente indépendamment un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe hydrocarbure aromatique, un atome d'halogène, un groupe nitro ou un groupe amino ; chacune des deux fractions R2 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe acétal, un groupe acyle ou un groupe glycidyle ; R3 représente un groupe hydrocarboné aromatique éventuellement substitué ou un groupe hétérocyclique ; R4 représente un atome d'hydrogène, un groupe phényle ou un groupe naphtyle ; chacun des deux indices k représente indépendamment 0 ou 1 ; m représente un nombre entier compris entre 3 et 500 ; p représente un nombre entier compris entre 3 et 500 ; et X représente un cycle benzène, et deux groupes -C(CH3)2- liés au cycle benzène se trouvent à la position méta ou à la position para).
(JA)【課題】 新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1a)及び/又は式(1b): [式(1a)及び(1b)中、2つのR1はそれぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基又はアミノ基を表し、2つのR2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アセタール基、アシル基又はグリシジル基を表し、R3は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、R4は水素原子、フェニル基又はナフチル基を表し、2つのkはそれぞれ独立に0又は1を表し、mは3乃至500の整数を表し、pは3乃至500の整数を表し、Xはベンゼン環を表し、該ベンゼン環と結合する2つの-C(CH32-基はメタ位又はパラ位の関係にある。] で表される繰り返し構造単位を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)