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1. (WO2017199698) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.:    WO/2017/199698    International Application No.:    PCT/JP2017/016213
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 24.04.2017
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: NEGISHI, Tetsu; (JP).
KUGA, Shoichi; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2016-098721 17.05.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device (100) is provided with a power semiconductor element (10), a resin film (11) and a sealing insulating material (13). The power semiconductor element (10) comprises: a first electrode (3) which covers a first region (1c) of one main surface of a semiconductor substrate (1); a second electrode (5) which is formed on the other main surface of the semiconductor substrate (1); a guard ring (8) which is formed in a second region (1d) that is positioned outside the first region (1c); and a non-conductive inorganic film (9) which covers the guard ring (8) in the second region (1d). The resin film (11) overlaps the guard ring (8) when viewed in plan; and the thickness of the resin film (11) on the non-conductive inorganic film (9) is 35 μm or more. The resin film (11) is a single layer film; and the outermost edge (11b) of the resin film (11) has a downwardly flared fillet shape. The outermost edge (11b) of the resin film (11) is arranged inside the outermost edge of the semiconductor substrate (1).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui est pourvu d'un élément semi-conducteur de puissance (10), d'un film de résine (11) et d'un matériau isolant d'étanchéité (13). L'élément semi-conducteur de puissance (10) comprend : une première électrode (3) qui recouvre une première région (1c) d'une surface principale d'un substrat semi-conducteur (1) ; une seconde électrode (5) qui est formée sur l'autre surface principale du substrat semi-conducteur (1) ; un anneau de protection (8) qui est formé dans une seconde région (1d) qui est positionnée à l'extérieur de la première région (1c) ; et un film inorganique non conducteur (9) qui recouvre l'anneau de protection (8) dans la seconde région (1d). Le film de résine (11) chevauche l'anneau de protection (8) lorsqu'il est vu en plan ; et l'épaisseur du film de résine (11) sur le film inorganique non conducteur (9) est de 35 µm ou plus. Le film de résine (11) est un film monocouche ; et le bord le plus extérieur (11b) du film de résine (11) présente une forme de filet évasée vers le bas. Le bord le plus extérieur (11b) du film de résine (11) est disposé à l'intérieur du bord le plus extérieur du substrat semi-conducteur (1).
(JA)半導体装置(100)は、電力用半導体素子(10)と、樹脂膜(11)と、封止絶縁材料(13)とを備える。電力用半導体素子(10)は、半導体基板(1)の一方の主表面における第1領域(1c)を覆う第1電極(3)と、半導体基板(1)の他方の主表面に形成される第2電極(5)と、第1領域(1c)の外側である第2領域(1d)に形成されたガードリング(8)と、第2領域(1d)においてガードリング(8)を覆う非導電無機膜(9)とを含む。樹脂膜(11)は平面視においてガードリング(8)と重なり、非導電無機膜(9)上の樹脂膜(11)の厚みは35μm以上である。樹脂膜(11)は単層膜であり、樹脂膜(11)の最外縁(11b)は下側に広くなるフィレット形状を有する。樹脂膜(11)の最外縁(11b)は半導体基板(1)の最外縁よりも内側に配置される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)