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1. (WO2017198630) PARTICLE DETECTOR MADE OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL
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Pub. No.:    WO/2017/198630    International Application No.:    PCT/EP2017/061637
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 15.05.2017
IPC:
G01T 1/26 (2006.01), G01T 1/29 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITÉ D'AIX MARSEILLE [FR/FR]; 58 Boulevard Charles Livon 13284 Marseille Cedex 07 (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS [FR/FR]; 3, Rue Michel Ange Paris Cedex 16 75794 (FR)
Inventors: VERVISCH, Wilfried Vivian Roland; (FR).
OTTAVIANI, Laurent; (FR).
BIONDO, Stéphane; (FR).
HURTADO EP VERVISCH, Vanessa Laurence Jill; (FR)
Agent: CAMUS, Olivier; (FR).
LEBKIRI, Alexandre; (FR)
Priority Data:
1654382 17.05.2016 FR
Title (EN) PARTICLE DETECTOR MADE OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) DETECTEUR DE PARTICULES REALISE DANS UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)An aspect of the invention concerns a system for measuring (100) a particle beam comprising a first part, called the central part (PC), a second part, called the peripheral part (PP), a front panel (F) and a back panel (B), the front panel (F) being parallel to the back panel (B). The central part (PC) comprises means for producing a space charge zone (ZCE) intended to be passed through by a particle beam (FS) to be measured, charge carriers of a first type and a second type being generated by the particle beam (FS) when the latter passes through the space charge zone (ZCE). The peripheral part (PP) comprises means for collecting at least one type of charge carrier from among the first type or the second type of charge carriers generated in the space charge zone (ZCE). In addition, the peripheral part (PP) surrounds the central part (PC) such that a particle beam (FS) can pass through the central part (PC) without passing through the peripheral part (PP), an orifice (O1) being provided in back panel (B), in a region of the central part (PC) such that the thickness of the said region of the central part (PC), along a normal axis to the front panel (F) is less than the thickness of the peripheral part (PP) along said normal axis.
(FR)Un aspect de l'invention concerne un dispositif de mesure (100) d'un faisceau de particules comprenant une première partie, dite partie centrale (PC), une deuxième partie, dite partie périphérique (PP), une face avant (F) et une face arrière (B), la face avant (F) étant parallèle à la face arrière (B). La partie centrale (PC) comporte des moyens pour former une zone de charge d'espace (ZCE) destinée à être traversée par un faisceau de particules (FS) à mesurer, des porteurs de charge d'un premier type et d'un second type étant générés par ledit faisceau (FS) lorsque ce dernier traverse la zone de charge d'espace (ZCE). La partie périphérique (PP) comporte des moyens pour collecter au moins un type de porteur de charge parmi le premier type ou le deuxième type de porteurs de charge générés au niveau de la zone de charge d'espace (ZCE). De plus, la partie périphérique (PP) entoure la partie centrale (PC) de sorte qu'un faisceau de particules (FS) peut traverser la partie centrale (PC) sans traverser la partie périphérique (PP), un orifice (O1) étant ménagé au niveau de la face arrière (B), dans une région de la partie centrale (PC) de sorte que l'épaisseur de ladite région de la partie centrale (PC) selon un axe normal à la face avant (F) est inférieure à l'épaisseur de la partie périphérique (PP) selon ledit axe normal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)