(EN) Provided are a silicon through hole chip and a manufacturing method therefor. The silicon through hole chip comprises a silicon substrate (210), wherein the silicon substrate (210) is provided with a through hole (220), the through hole (220) being an inclined hole, and a backfill structure layer (230) being arranged in the through hole (220). According to the silicon through hole chip and the manufacturing method therefor, the fingerprint recognition sensor and the terminal device, by adding the backfill structure layer in the through hole, a surface of the silicon through hole chip can play the function of support when subjected to a force, and the breakage of the silicon through hole chip is avoided, thereby improving the structural strength of the silicon through hole chip.
(FR) La présente invention porte sur une puce à trou traversant de silicium et son procédé de fabrication. La puce à trou traversant de silicium comprend un substrat de silicium (210), le substrat de silicium (210) étant pourvu d'un trou traversant (220), le trou traversant (220) étant un trou incliné, et une couche de structure de remplissage (230) étant disposée dans le trou traversant (220). Selon la puce à trou traversant de silicium et son procédé de fabrication, le capteur de reconnaissance d'empreinte digitale et le dispositif terminal, en ajoutant la couche de structure de remplissage dans le trou traversant, une surface de la puce à trou traversant de silicium peut jouer le rôle de support lorsqu'elle est soumise à une force, et la rupture de la puce à trou traversant de silicium est évitée, ce qui permet d'améliorer la résistance structurale de la puce à trou traversant de silicium.
(ZH) 提供了一种硅通孔芯片及其制作方法,硅通孔芯片包括硅基板(210),硅基板(210)设置有通孔(220),通孔(220)为斜孔,通孔(220)内设置有回填结构层(230)。硅通孔芯片及其制作方法、指纹识别传感器和终端设备,通过在通孔内增加回填结构层,使得在硅通孔芯片表面受力时能够起到支撑作用,避免了硅通孔芯片的断裂,从而提高了硅通孔芯片的结构强度。