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1. (WO2017197693) 3T PIXEL STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/197693    International Application No.:    PCT/CN2016/086008
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 16.06.2016
IPC:
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; DING, Ke No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: JIANG, Xiangwei; (CN)
Agent: ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd,Futian District ShenZhen, Guangdong 518040 (CN)
Priority Data:
201610339274.2 20.05.2016 CN
Title (EN) 3T PIXEL STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE DE PIXELS 3T ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 3T像素结构及液晶显示装置
Abstract: front page image
(EN)A 3T pixel structure and a liquid crystal display device. The 3T pixel structure comprises: a substrate; a first insulating layer; a charge sharing thin-film transistor comprising a source, a drain and a gate; a data line provided on the first insulating layer; a second insulating layer provided on the data line and the first insulating layer; an upper common electrode; a source through-hole being provided on the second insulating layer, the upper common electrode contacting with, and being electrically connected to, a first source by means of the source through-hole.
(FR)L'invention concerne une structure de pixels 3T et un dispositif d'affichage à cristaux liquides. La structure de pixels 3T comprend : un substrat ; une première couche isolante ; un transistor à couche mince à partage de charge comprenant une source, un drain et une grille ; une ligne de données prévue sur la première couche isolante ; une seconde couche isolante prévue sur la ligne de données et la première couche isolante ; une électrode commune supérieure ; un trou traversant de source étant prévu sur la seconde couche isolante, l'électrode commune supérieure étant en contact avec, et connecté électriquement à, une première source au moyen du trou traversant de source.
(ZH)一种3T像素结构及液晶显示装置,该3T像素结构包括:一基板;第一绝缘层;电荷共享薄膜晶体管,其具有源极、漏极以及栅极;数据线,其设置于该第一绝缘层上;第二绝缘层,其设置于数据线以及所述第一绝缘层上;上公共电极;第二绝缘层上开设有源极通孔,上公共电极通过源极通孔与第一源极接触并电连接。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)