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1. (WO2017197279) CRITICAL DIMENSION CONTROL BY USE OF PHOTO-SENSITIZED CHEMICALS OR PHOTO-SENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST
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Pub. No.: WO/2017/197279 International Application No.: PCT/US2017/032435
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 12.05.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Exposure; Apparatus therefor
Applicants:
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-1 Chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741, US (JP)
Inventors:
CARCASI, Michael, A.; US
DEVILLIERS, Anton, J.; US
Agent:
DAVIDSON, Kristi L.; US
AHRENS, Gregory, F.; US
BENINTENDI, Steven, W.; US
ARDIZZONE, Timothy, D.; US
DAVIDSON, Kristi, L.; US
Priority Data:
62/335,97713.05.2016US
Title (EN) CRITICAL DIMENSION CONTROL BY USE OF PHOTO-SENSITIZED CHEMICALS OR PHOTO-SENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST
(FR) CONTRÔLE DES DIMENSIONS CRITIQUES À L'AIDE DE PRODUITS CHIMIQUES PHOTOSENSIBILISÉS OU D'UNE RÉSERVE PHOTOSENSIBILISÉE CHIMIQUEMENT AMPLIFIÉE
Abstract:
(EN) A method for critical dimension control in which a substrate is received having an underlying layer and a radiation-sensitive material layer thereon. The radiation-sensitive material is exposed through a patterned mask to a first wavelength of light in the UV spectrum, and developed a first time. The radiation- sensitive material is flood exposed to a second wavelength of light different from the first wavelength of light and developed a second time to form a pattern. Prior to flood exposure, the radiation-sensitive material has a first light wavelength activation threshold that controls generation of acid to a first acid concentration in the radiation-sensitive material layer and controls generation of photosensitizer molecules in the radiation- sensitive material layer, and a second light wavelength activation threshold different than the first light wavelength activation threshold that can excite the photosensitizer molecules resulting in the acid comprising a second acid concentration greater than the first acid concentration.
(FR) L'invention concerne un procédé de contrôle des dimensions critiques dans lequel un substrat reçu comporte une couche sous-jacente et une couche de matériau sensible au rayonnement sur celui-ci. Le matériau sensible au rayonnement est exposé à travers un masque présentant un motif à une première longueur d'onde lumineuse dans le spectre UV, et développé une première fois. Le matériau sensible au rayonnement est exposé à un flux lumineux à une seconde longueur d'onde lumineuse différente de la première longueur d'onde lumineuse et développée une seconde fois pour former un motif. Avant l'exposition au flux lumineux, le matériau sensible au rayonnement présente un premier seuil d'activation de la longueur d'onde lumineuse qui régule la production d'acide à une première concentration d'acide dans la couche de matériau sensible au rayonnement et commande la production de molécules de photosensibilisateur dans la couche de matériau sensible au rayonnement, et un second seuil d'activation de la longueur d'onde lumineuse, différent du premier seuil d'activation de la longueur d'onde lumineuse, qui peut exciter les molécules de photosensibilisateur, cela conduisant au fait que l'acide comprend une seconde concentration d'acide supérieure à la première concentration d'acide.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)