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1. (WO2017196490) METHOD OF SELECTIVE ETCHING ON EPITAXIAL FILM ON SOURCE/DRAIN AREA OF TRANSISTOR
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Pub. No.:    WO/2017/196490    International Application No.:    PCT/US2017/027469
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 13.04.2017
IPC:
H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LI, Xuebin; (US).
CHUNG, Hua; (US).
CHANG, Flora Fong-Song; (US).
DUBE, Abhishek; (US).
HUANG, Yi-Chiau; (US).
CHU, Schubert S.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Priority Data:
62/333,769 09.05.2016 US
Title (EN) METHOD OF SELECTIVE ETCHING ON EPITAXIAL FILM ON SOURCE/DRAIN AREA OF TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE D’UN FILM ÉPITAXIAL SUR UNE ZONE DE SOURCE/DRAIN D’UN TRANSISTOR
Abstract: front page image
(EN)Methods for forming transistors are provided. A substrate is placed in a processing chamber, and a plurality of epitaxial features is formed on the substrate. The epitaxial feature has at least a surface having the (110) plane and a surface having the (100) plane. An etchant or a gas mixture including an etchant and an etch enhancer or an etch suppressor is introduced into the processing chamber to remove a portion of the epitaxial feature. Etch selectivity between the surface having the (110) plane and the surface having the (100) plane can be tuned by varying the pressure within the processing chamber, the ratio of the flow rate of the etchant or gas mixture to the flow rate of a carrier gas, and/or the ratio of the flow rate of the etch enhancer or suppressor to the flow rate of the etchant.
(FR)La présente invention concerne des procédés de formation de transistors. Un substrat est placé dans une chambre de traitement, et une pluralité d’éléments épitaxiaux est formée sur le substrat. L’élément épitaxial a au moins une surface ayant le plan (110) et une surface ayant le plan (100). Un agent de gravure ou un mélange gazeux comprenant un agent de gravure et un activateur de gravure ou un suppresseur de gravure est introduit dans la chambre de traitement pour éliminer une partie de l’élément épitaxial. La sélectivité de gravure entre la surface ayant le plan (110) et la surface ayant le plan (100) peut être ajustée par modulation de la pression à l'intérieur de la chambre de traitement, du rapport du débit de l'agent de gravure ou du mélange gazeux au débit d'un gaz vecteur, et/ou du rapport du débit de l'activateur de gravure ou du suppresseur au débit de l'agent de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)