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1. (WO2017196431) EFFECTIVE COMPOUND SUBSTRATE FOR NON-DESTRUCTIVE EPITAXIAL LIFT-OFF
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Pub. No.:    WO/2017/196431    International Application No.:    PCT/US2017/019331
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 24.02.2017
IPC:
H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN [US/US]; 1600 Huron Parkway, 2nd Floor Ann Arbor, MI 48109 (US)
Inventors: FORREST, Stephen, R.; (US).
LEE, Kyusang; (US)
Agent: McDAVID, Christopher, L.; (US)
Priority Data:
62/299,058 24.02.2016 US
Title (EN) EFFECTIVE COMPOUND SUBSTRATE FOR NON-DESTRUCTIVE EPITAXIAL LIFT-OFF
(FR) SUBSTRAT DE COMPOSÉ EFFICACE POUR UN DÉCOLLEMENT ÉPITAXIAL NON DESTRUCTIF
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure relates to compound substrates for use in epitaxial lift-off. In one implementation, a compound substrate may include a diced wafer layer formed of a plurality of wafer pieces and a wafer-receiving layer having a surface. The wafer layer may have a bottom surface and a top surface, and the bottom surface of the wafer layer may be attached to the surface of the wafer-receiving layer.
(FR)La présente invention concerne des substrats de composés destinés à être utilisés dans un décollement épitaxial. Dans un mode de réalisation, un substrat de composé peut comprendre une couche de microplaquettes formées d'une pluralité de pièces de plaquettes et une couche de réception de plaquettes présentant une surface. La couche de plaquettes peut présenter une surface inférieure et une surface supérieure, et la surface inférieure de la couche de plaquettes peut être fixée sur la surface de la couche de réception de plaquettes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)