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1. (WO2017195864) BIAS CURRENT CIRCUIT, SIGNAL PROCESSING DEVICE, AND BIAS CURRENT CONTROL METHOD
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Pub. No.:    WO/2017/195864    International Application No.:    PCT/JP2017/017881
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 11.05.2017
IPC:
H03F 3/343 (2006.01), G05F 3/26 (2006.01), G07D 7/00 (2016.01), H03K 17/687 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: KAGANO Miki; (JP).
OGOMI Tomokazu; (JP)
Agent: KIMURA Mitsuru; (JP)
Priority Data:
2016-096394 12.05.2016 JP
Title (EN) BIAS CURRENT CIRCUIT, SIGNAL PROCESSING DEVICE, AND BIAS CURRENT CONTROL METHOD
(FR) CIRCUIT DE COURANT DE POLARISATION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SIGNAL ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE COURANT DE POLARISATION
(JA) バイアス電流回路、信号処理装置及びバイアス電流制御方法
Abstract: front page image
(EN)A bias current circuit (116) is provided with an N-type MOSFET (202) in which a current source (201) is connected to a drain terminal and a gate terminal, and N-type MOSFETs (203, 204) in which bias current output terminals (212, 213) are connected to respective drain terminals thereof and source terminals thereof are grounded. The bias current circuit (116) is furthermore provided with an N-type MOSFET (205) in which either a drain terminal or a source terminal thereof is connected to the gate terminals of the N-type MOSFET (202) and the N-type MOSFETs (203, 204), and an N-type MOSFET (206) in which a drain terminal thereof is connected to the gate terminals of the N-type MOSFETs (203, 204) and a source terminal thereof is grounded. A control signal that is Low when a bias current is supplied and High when the bias current is stopped is inputted to the gate terminal of the N-type MOSFET (206), and an inversion signal of the control signal is inputted to the gate terminal of the N-type MOSFET (205).
(FR)L'invention concerne un circuit de courant de polarisation (116) qui est pourvu d'un MOSFET du type N (202) dont une borne de drain et une borne de grille sont connectées à une source de courant (201), et de MOSFET du type N (203, 204) dont des bornes de drain respectives sont connectées à des bornes de sortie de courant de polarisation (212, 213) et dont des bornes de source sont mises à la masse. Le circuit de courant de polarisation (116) est en outre pourvu d'un MOSFET du type N (205) dont soit une borne de drain soit une borne de source est connectée aux bornes de grille du MOSFET du type N (202) et des MOSFET du type N (203, 204), et d'un MOSFET du type N (206) dont une borne de drain est connectée aux bornes de grille des MOSFET du type N (203, 204) et dont une borne de source est mise à la masse. Un signal de commande qui est bas lorsqu'un courant de polarisation est fourni et haut lorsque le courant de polarisation est arrêté est appliqué à la borne de grille du MOSFET du type N (206), et un signal d'inversion du signal de commande est appliqué à la borne de grille du MOSFET du type N (205).
(JA)バイアス電流回路(116)は、電流源(201)をドレイン端子とゲート端子に接続したN形MOSFET(202)と、バイアス電流の出力端子(212,213)をドレイン端子に接続しソース端子を接地したN形MOSFET(203,204)と、を備える。さらに、バイアス電流回路(116)は、N形MOSFET(202)及びN形MOSFET(203,204)のゲート端子にドレイン端子とソース端子のいずれか一方及び他方を接続するN形MOSFET(205)と、N形MOSFET(203,204)のゲート端子にドレイン端子を接続しソース端子を接地するN形MOSFET(206)と、を備える。バイアス電流を供給時にLowとなり、停止時にHighとなる制御信号をN形MOSFET(206)のゲート端子に入力し、制御信号の反転信号をN形MOSFET(205)のゲート端子に入力する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)