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1. (WO2017195507) DEEP ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
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Pub. No.:    WO/2017/195507    International Application No.:    PCT/JP2017/014238
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 05.04.2017
Chapter 2 Demand Filed:    21.02.2018    
IPC:
H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506022 (JP)
Inventors: SAKAI Haruhito; (JP).
NIWA Noritaka; (JP).
INAZU Tetsuhiko; (JP).
PERNOT Cyril; (JP)
Agent: MORISHITA Sakaki; (JP)
Priority Data:
2016-095537 11.05.2016 JP
Title (EN) DEEP ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ULTRAVIOLET PROFOND
(JA) 深紫外発光素子
Abstract: front page image
(EN)A deep ultraviolet light emitting element 10 is provided with: a light extraction surface 12b; an n-type semiconductor layer that is provided on the light extraction surface 12b; an active layer 20, which is provided on the n-type semiconductor layer, and which has a band gap of 3.4 eV or more; and a p-type semiconductor layer that is provided on the active layer 20. Deep ultraviolet light emitted from the active layer 20 is outputted to the outside from the light extraction surface 12b. A side surface 32 of the active layer 20 is tilted with respect to an interface 19 between the n-type semiconductor layer and the active layer 20, and the tilt angle is 15-50 degrees.
(FR)L'invention concerne un élément (10) émettant un rayonnement ultraviolet profond, qui comporte : une surface (12b) d'extraction de lumière; une couche semi-conductrice de type n, prévue sur la surface (12b) d'extraction de lumière; une couche active (20), prévue sur la couche semi-conductrice de type n et qui présente une largeur de bande interdite supérieure ou égale à 3,4 eV; et une couche semi-conductrice de type p, prévue sur la couche active (20). La lumière ultraviolette profonde émise par la couche active (20) est émise vers l'extérieur depuis la surface (12b) d'extraction de lumière. Une surface latérale (32) de la couche active (20) est inclinée par rapport à une interface (19) entre la couche semi-conductrice de type n et la couche active (20), l'angle d'inclinaison étant compris entre 15 et 50 degrés.
(JA)深紫外発光素子10は、光取出面12bと、光取出面12b上に設けられるn型半導体層と、n型半導体層上に設けられ、バンドギャップが3.4eV以上の活性層20と、活性層20上に設けられるp型半導体層と、を備える。活性層20が発する深紫外光は、光取出面12bから外部へ出力される。活性層20の側面32は、n型半導体層と活性層20の界面19に対して傾斜し、その傾斜角が15度以上50度以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)