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1. (WO2017194334) MAGNETIC OPERATIONAL AMPLIFIER
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Pub. No.:    WO/2017/194334    International Application No.:    PCT/EP2017/060245
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 28.04.2017
IPC:
H03F 3/45 (2006.01), H03F 9/00 (2006.01), H03F 3/393 (2006.01), H03F 15/00 (2006.01), G01R 33/00 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITE DE STRASBOURG [FR/FR]; 4, rue Blaise Pascal 67081 STRASBOURG Cedex (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS [--/FR]; 3, rue Michel Ange 75794 Paris Cedex 16 (FR)
Inventors: FRICK, Vincent; (FR).
OSBERGER, Laurent; (FR)
Agent: CABINET GROUPEMENT CAMUS-LEBKIRI; 25, rue de Maubeuge 75009 Paris (FR)
Priority Data:
16169019.3 10.05.2016 EP
Title (EN) MAGNETIC OPERATIONAL AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL MAGNÉTIQUE
Abstract: front page image
(EN)According to an aspect of the invention, it is provided a magnetic operational amplifier having a differential stage (1) comprising a first magnetic field effect transistor MAGFET (11) and a differential signal conditioner, the differential signal conditioner comprising a load stage (151), a differential input pair (153) connected to the load stage (151) and a biasing current source (155) connected to the differential input pair (153); the magnetic field effect transistor MAGFET (11) being connected to the load stage (151) as a second differential input pair and the differential signal conditioner comprising a second biasing current source (156) connected to the magnetic field effect transistor MAGFET (11).
(FR)Selon un aspect, la présente invention concerne un amplificateur opérationnel magnétique ayant un étage différentiel (1) comprenant un premier transistor à effet de champ magnétique MAGFET (11) et un conditionneur de signal différentiel, le conditionneur de signal différentiel comprenant un étage de charge (151), une paire d'entrées différentielles (153) connectées à l'étage de charge (151) et une source de courant de polarisation (155) connectée à la paire d'entrées différentielles (153) ; le transistor à effet de champ magnétique MAGFET (11) étant connecté à l'étage de charge (151) en tant que seconde paire d'entrées différentielles et le conditionneur de signal différentiel comprenant une seconde source de courant de polarisation (156) connectée au transistor à effet de champ magnétique MAGFET (11).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)