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1. (WO2017193443) LIQUID CRYSTAL PANEL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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Pub. No.:    WO/2017/193443    International Application No.:    PCT/CN2016/085779
Publication Date: 16.11.2017 International Filing Date: 15.06.2016
IPC:
G02F 1/1337 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: LI, Ji; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201610323197.1 13.05.2016 CN
Title (EN) LIQUID CRYSTAL PANEL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 液晶面板结构及制作方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a liquid crystal panel structure and a manufacturing method thereof. A first alignment layer (12) of an upper substrate (10) and a second alignment layer (22) of a lower substrate (20) are both made of silicon nitride films with surfaces subjected to ion beam bombardment. The alignment layers have more stable physical and chemical properties than PI alignment films, so that a liquid crystal panel can be provided with a better reliability. In addition, the surfaces of the silicon nitride films are subjected to ion beam bombardment, and pretilt angles for liquid crystal molecules (31) can be adjusted within a certain range, so that a proper pretilt angle can be provided for the liquid crystal molecules (31). Compared with current PSVA technology, a process of providing a pretilt angle for liquid crystals by UV illumination is not required, and thus no reactive monomers need to be added to a liquid crystal layer (30), so that the reliability of the liquid crystal panel is further improved. Furthermore, in the TFT-LCD manufacturing industry, the silicon nitride growth process is very mature in terms of equipment and processes, so that a process cost and a material cost are greatly reduced.
(FR)La présente invention concerne une structure de panneau à cristaux liquides et son procédé de fabrication. Une première couche d'alignement (12) d'un substrat supérieur (10) et une deuxième couche d'alignement (22) d'un substrat inférieur (20) sont toutes deux constituées de films de nitrure de silicium dont les surfaces sont soumises à un bombardement de faisceau ionique. Les couches d'alignement ont des propriétés physiques et chimiques plus stables que les films d'alignement PI, de sorte qu'un panneau à cristaux liquides puisse être produit avec une meilleure fiabilité. En outre, les surfaces des films de nitrure de silicium sont soumises à un bombardement de faisceau ionique, et des angles de pré-inclinaison pour des molécules de cristaux liquides (31) peuvent être ajustés dans une certaine plage, de sorte qu'un angle de pré-inclinaison approprié puisse être obtenu pour les molécules de cristaux liquides (31). Par rapport à la technologie PSVA actuelle, un procédé de fourniture d'un angle de pré-inclinaison pour des cristaux liquides par éclairage UV n'est pas nécessaire, et par conséquent, aucun monomère réactif ne doit être ajouté à une couche de cristaux liquides (30), de sorte que la fiabilité du panneau à cristaux liquides soit améliorée davantage. En outre, dans l'industrie de fabrication des TFT-LCD, le processus de croissance de nitrure de silicium est très mature en termes d'équipement et de processus, de sorte qu'un coût de traitement et un coût de matériau soient fortement réduits.
(ZH)一种液晶面板结构及制作方法,上基板(10)的第一配向层(12)与下基板(20)的第二配向层(22)均采用表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜,相比于采用PI配向膜材,配向层具有更为稳定的物理、及化学性质,从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性;另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理,对液晶分子(31)提供的预倾角可在一定范围内进行调整,从而可以对液晶分子(31)提供合适的预倾角,且与目前的PSVA技术相比,不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程,进而液晶层(30)中不需要加入反应型单体,从而进一步提高了液晶面板的信赖性;再者,氮化硅的生长工艺,在TFT-LCD制造业中,设备和工艺均相当成熟,从而大大缩减了制程成本和材料成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)