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1. (WO2017192834) WAFER-BASED CHARGED PARTICLE ACCELERATOR, WAFER COMPONENTS, METHODS, AND APPLICATIONS
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Pub. No.:    WO/2017/192834    International Application No.:    PCT/US2017/031029
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 04.05.2017
IPC:
H05H 13/00 (2006.01), H05H 7/08 (2006.01)
Applicants: CORNELL UNIVERSITY [US/US]; CTL - 395 Pine Tree Road Suite 310 Ithaca, NY 14850 (US)
Inventors: LAL, Amit; (US).
SCHENKEL, Thomas; (US).
PERSAUD, Arun; (US).
JI, Qing; (US).
SEIDL, Peter; (US).
WALDRON, Will; (US).
ARDANUC, Serhan; (US).
KADAYRA BASAVARAJAPPA, Vinaya, Kumar; (US)
Agent: GREENER, William; (US).
MCGUIRE, George, R.; (US).
NOCILLY, David, L.; (US).
NOTO, Joseph, M.; (US).
PRICE, Frederick, Jm; (US)
Priority Data:
62/331,614 04.05.2016 US
Title (EN) WAFER-BASED CHARGED PARTICLE ACCELERATOR, WAFER COMPONENTS, METHODS, AND APPLICATIONS
(FR) ACCÉLÉRATEUR DE PARTICULES CHARGÉES À BASE DE TRANCHE, COMPOSANTS DE TRANCHE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
Abstract: front page image
(EN)A wafer-based charged particle accelerator includes a charged particle source and at least one RF charged particle accelerator wafer sub-assembly and a power supply coupled to the at least one RF charged particle accelerator wafer sub-assembly. The wafer-based charged particle accelerator may further include a beam current-sensor. The wafer-based charged particle accelerator may further include at least a second RF charged particle accelerator wafer sub-assembly and at least one ESQ charged particle focusing wafer. Fabrication methods are disclosed for RF charged particle accelerator wafer sub-assemblies, ESQ charged particle focusing wafers, and the wafer-based charged particle accelerator.
(FR)Un accélérateur de particules chargées à base de tranche comprend une source de particules chargées et au moins un sous-ensemble de tranche d'accélérateur de particules chargées RF et une alimentation électrique couplée audit ou auxdits sous-ensembles de tranche d'accélérateur de particules chargées RF. L'accélérateur de particules chargées à base de tranche peut en outre comprendre un capteur de courant de faisceau. L'accélérateur de particules chargées à base de tranche peut en outre comprendre au moins un second sous-ensemble de tranche d'accélérateur de particules chargées RF et au moins une tranche de focalisation de particules chargées ESQ. L'invention concerne également des procédés de fabrication de sous-ensembles de tranche d'accélérateur de particules chargées RF, de tranches de focalisation de particules chargées ESQ, et de l'accélérateur de particules chargées à base de tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)