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1. (WO2017191923) LIGHT EMITTING DIODE
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Pub. No.: WO/2017/191923 International Application No.: PCT/KR2017/004420
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 26.04.2017
IPC:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/52 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD.[KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429, KR
Inventors: OH, Se Hee; KR
KIM, Hyun A; KR
KIM, Jong Kyu; KR
LIM, Hyoung Jin; KR
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Priority Data:
10-2016-005488503.05.2016KR
10-2016-006550127.05.2016KR
10-2016-007939224.06.2016KR
Title (EN) LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) 발광 다이오드
Abstract: front page image
(EN) A light emitting diode according to one embodiment comprises: a first light emitting cell and a second light emitting cell including, respectively, an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer; a reflection structure contacting the p-type semiconductor layer; a first contact layer making an ohmic contact with the n-type semiconductor layer of the first light emitting cell; a second contact layer making an ohmic contact with the n-type semiconductor layer of the second light emitting cell while connecting to the reflection structure on the first light emitting cell; an n-electrode pad connected to the first contact layer; and a p-electrode pad connected to the reflection structure on the second light emitting cell, wherein the first light emitting cell and the second light emitting cell are separated from each other, and the outer sides thereof are inclined more sharply than the inner sides thereof. Accordingly, it is possible to lower a forward voltage and enhance a light output.
(FR) Selon un mode de réalisation, cette invention concerne une diode électroluminescente, comprenant : une première cellule électroluminescente et une seconde cellule électroluminescente comprenant, respectivement, une couche semi-conductrice de type n et une couche semi-conductrice de type p ; une structure de réflexion en contact avec la couche semi-conductrice de type p ; une première couche de contact réalisant un contact ohmique avec la couche semi-conductrice de type n de la première cellule électroluminescente ; une seconde couche de contact réalisant un contact ohmique avec la couche semi-conductrice de type n de la seconde cellule électroluminescente tout étant connectée à la structure de réflexion sur la première cellule électroluminescente ; une pastille d'électrode n connectée à la première couche de contact ; et une pastille d'électrode p connectée à la structure de réflexion sur la seconde cellule électroluminescente, la première cellule électroluminescente et la seconde cellule électroluminescente étant séparées l'une de l'autre, et leurs côtés extérieurs étant inclinés plus fortement que leurs côtés intérieurs. En conséquence, il est possible de réduire une tension directe et d'améliorer une sortie de lumière.
(KO) 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 각각 n형 반도체층, p형 반도체층을 포함하는 제1 발광셀 및 제2 발광셀; p형 반도체층에 콘택하는 반사 구조체; 제1 발광셀의 n형 반도체층에 오믹 콘택하는 제1 콘택층; 제2 발광셀의 n형 반도체층에 오믹 콘택함과 아울러 제1 발광셀 상의 반사 구조체에 접속하는 제2 콘택층; 제1 콘택층에 접속된 n 전극 패드; 및 제2 발광셀 상의 반사 구조체에 접속된 p 전극 패드을 포함하고, 제1 발광셀 및 제2 발광셀은 서로 분리되며, 이들의 외측면들이 내측면들보다 급격하게 경사진다. 이에 따라, 순방향 전압을 낮출 수 있고 광출력을 향상시킬 수 있다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)