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1. (WO2017191724) DEEP-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT AND DEEP-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT PRODUCTION METHOD
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Pub. No.:    WO/2017/191724    International Application No.:    PCT/JP2017/014237
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 05.04.2017
Chapter 2 Demand Filed:    14.02.2018    
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506022 (JP)
Inventors: INAZU Tetsuhiko; (JP).
PERNOT Cyril; (JP)
Agent: MORISHITA Sakaki; (JP)
Priority Data:
2016-092617 02.05.2016 JP
Title (EN) DEEP-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT AND DEEP-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT PRODUCTION METHOD
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À ULTRAVIOLETS LOINTAINS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À ULTRAVIOLETS LOINTAINS
(JA) 深紫外発光素子および深紫外発光素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A deep-ultraviolet light-emitting element 10 comprises: an electron block layer 22 provided upon a support substrate 32, and formed from a p-type AlGaN semiconductor material or a p-type AlN semiconductor material; an active layer 20 provided upon the electron block layer 22 and formed from an AlGaN semiconductor material; a n-type cladding layer 18 provided upon the active layer 20 and formed from an AlGaN semiconductor material; a n-type contact layer 34 provided upon one region of the n-type cladding layer 18 and formed from a n-type semiconductor material including gallium nitride (GaN); and n-side electrodes 36 formed upon the n-type contact layer 34. The band gap of the n-type contact layer 34 is smaller than that of the n-type cladding layer 18.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent (10) à ultraviolets lointains qui comprend : une couche de blocage d'électrons (22) disposée sur un substrat de support (32), et formée à partir d'un matériau semi-conducteur d'AlGaN de type p ou d'un matériau semi-conducteur d'AlN de type p; une couche active (20) disposée sur la couche de blocage d'électrons (22) et formée d'un matériau semi-conducteur d'AlGaN; une couche de revêtement (18) de type n disposée sur la couche active (20) et formée d'un matériau semi-conducteur d'AlGaN; une couche de contact (34) de type n disposée sur une zone de la couche de revêtement (18) de type n et formée d'un matériau semi-conducteur de type n incluant du nitrure de gallium (GaN); et des électrodes du côté de type n (36) formées sur la couche de contact (34) de type n. La bande interdite de la couche de contact (34) de type n est inférieure à celle de la couche de revêtement (18) de type n.
(JA)深紫外発光素子10は、支持基板32上に設けられるp型AlGaN系半導体材料またはp型AlN系半導体材料の電子ブロック層22と、電子ブロック層22上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層20と、活性層20上に設けられるn型AlGaN系半導体材料のn型クラッド層18と、n型クラッド層18上の一部領域に設けられ、窒化ガリウム(GaN)を含むn型半導体材料のn型コンタクト層34と、n型コンタクト層34上に形成されるn側電極36と、を備える。n型コンタクト層34は、n型クラッド層18よりもバンドギャップが小さい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)