Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017190622) GAAS-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/190622 International Application No.: PCT/CN2017/082169
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 27.04.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
12
with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
14
with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Applicants:
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No.841-899, Min An Road Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventors:
郑元宇 ZHENG, Yuanyu; CN
郑建森 ZHENG, Jiansen; CN
伍明跃 WU, Mingyue; CN
周启伦 CHOU, Chilun; CN
邱财华 QIU, Cai-hua; CN
罗宵 LUO, Xiao; CN
林峰 LIN, Feng; CN
李水清 LI, Shuiqing; CN
吴超瑜 WU, Chaoyu; CN
蔡坤煌 CAI, Kunhuang; CN
Priority Data:
201610291711.805.05.2016CN
Title (EN) GAAS-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE GAAS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(ZH) 一种 GaAs 基发光二极管及其制作方法
Abstract:
(EN) A GaAs-based light emitting diode and manufacturing method therefor, the diode sequentially comprising a substrate (200), a DBR reflective layer (210), an N-type semiconductor layer (220), a quantum well light emitting layer (230), a P-type semiconductor layer (240), a transition layer (250) and a GaP current spreading layer (260); the transition layer (250) comprises a graded component layer (251), a low-temperature low-speed GaP layer (252) and an interface processing layer (253), and the GaP current spreading layer (260) is of a mode wherein high-temperature growth is followed by low-temperature growth. By means of the transition layer (250), a dislocation line can be effectively pressed at an interface. A high-temperature GaP current spreading layer is connected with the interface processing layer (253) to further press a dislocation line which extends into an interface layer in the high-temperature GaP current spreading layer, so as to provide a good foundation for the growth of a subsequent high-quality GaP current spreading layer.
(FR) Diode électroluminescente à base de GaAs et procédé pour sa fabrication, la diode comportant séquentiellement un substrat (200), une couche réfléchissante (210) de DBR, une couche (220) de semi-conducteur de type N, une couche électroluminescente (230) à puits quantiques, une couche (240) de semi-conducteur de type P, une couche (250) de transition et une couche (260) d'étalement de courant au GaP; la couche (250) de transition comporte une couche (251) de composant à gradient, une couche (252) de GaP à basse température et à basse vitesse et une couche (253) de traitement d'interface, et la couche (260) d'étalement de courant au GaP est d'un mode où une croissance à haute température est suivie d'une croissance à basse température. Au moyen de la couche (250) de transition, une ligne de dislocation peut être efficacement pressée au niveau d'une interface. Une couche d'étalement de courant au GaP à haute température est liée à la couche (253) de traitement d'interface pour presser davantage une ligne de dislocation qui s'étend jusque dans une couche d'interface dans la couche d'étalement de courant au GaP à haute température, de façon à constituer une bonne fondation pour la croissance d'une couche suivante d'étalement de courant au GaP de haute qualité.
(ZH) 一种GaAs基发光二极管及其制作方法,依次包括衬底(200),DBR反射层(210),N型半导体层(220),量子阱发光层(230),P型半导体层(240),过渡层(250)和GaP电流扩展层(260),其特征在于:过渡层(250)包括组分渐变层(251)、低温低速GaP层(252)和界面处理层(253), GaP电流扩展层(260)采用先高温后低温生长方式。过渡层(250)能有效地将位错线压制在界面处;高温GaP电流扩展层与界面处理层(253)相接,能进一步地把延伸到界面层上的位错线压制在高温GaP电流扩展层中,为后续高质量GaP电流扩展层的生长提供良好基础。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)