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1. (WO2017190507) DETECTION METHOD FOR SCRATCH ON SURFACE OF SEMI-CONDUCTOR POLISHED WAFER
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Pub. No.: WO/2017/190507 International Application No.: PCT/CN2016/110987
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 20.12.2016
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
Applicants:
中国科学院物理研究所 INSTITUTE OF PHYSICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 海淀区中关村南三街8号 No. 8, Zhong Guan Cun Nan San Street Haidian District Beijing 100190, CN
Inventors:
郭丽伟 GUO, Liwei; CN
甘弟 GAN, Di; CN
陈小龙 CHEN, Xiaolong; CN
Agent:
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 PANAWELL & PARTNERS, LLC; 中国北京市 朝阳区朝阳门外大街16号中国人寿大厦1002-1005 1002-1005, China Life Tower 16 Chao Yang Men Wai Street Chaoyang District, Beijing 100020, CN
Priority Data:
201610298401.906.05.2016CN
Title (EN) DETECTION METHOD FOR SCRATCH ON SURFACE OF SEMI-CONDUCTOR POLISHED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE RAYURES SUR LA SURFACE D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR POLIE
(ZH) 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
Abstract:
(EN) A detection method for a scratch on a surface of a semi-conductor polished wafer. The detection method comprises the following steps: step 1, using a pulsed laser to radiate a semi-conductor polished wafer; and step 2, using a microscope to observe a surface of the semi-conductor polished wafer which has been radiated by the pulsed laser, the total radiation energy density of the pulsed laser is between a first damage energy density threshold and a second damage energy density threshold. The detection method of the present invention is high in speed and low in cost, has little damage on a wafer and has no pollution, and can be widely applied to rapid detection of a surface scratch on a semi-conductor polished wafer product.
(FR) L'invention porte sur un procédé de détection de rayures sur la surface d'une tranche de semi-conducteur polie. Le procédé de détection comprend les étapes suivantes : étape 1, utiliser un laser pulsé en vue d'exposer une tranche de semi-conducteur polie; et étape 2, utiliser un microscope en vue d'observer une surface de la tranche de semi-conducteur polie qui a été exposée au laser pulsé, la densité totale d'énergie de rayonnement du laser pulsé étant comprise entre un premier seuil de densité d'énergie de dommage et un second seuil de densité d'énergie de dommage. Le procédé de détection de la présente invention possède une vitesse élevée et un faible coût, cause peu d'endommagement à une tranche et n'entraîne aucune pollution, et peut être largement appliqué à la détection rapide de rayures de surface sur un produit tranche de semi-conducteur polie.
(ZH) 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法,所述检测方法包括如下步骤:步骤一:采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片;步骤二:用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面;其中,所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损伤能量密度阈值和第二损伤能量密度阈值之间。本发明的检测方法速度快、成本低、对晶片损伤小、无污染,可广泛应用于对半导体抛光晶片产品的表面划痕的快速检测。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)