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1. (WO2017190479) ELECTROSTATIC DISCHARGE GUARD STRUCTURE
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Pub. No.:    WO/2017/190479    International Application No.:    PCT/CN2016/103595
Publication Date: 09.11.2017 International Filing Date: 27.10.2016
IPC:
H01L 31/02 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01)
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventors: CELO, Dritan; (CA).
GOODWILL, Dominic John; (CA).
BERNIER, Eric; (CA)
Priority Data:
62/330,569 02.05.2016 US
15/269,331 19.09.2016 US
Title (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE GUARD STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic discharge guard structure for photonic platform based photodiode systems is provided. In particular this application provides a photodiode assembly comprising: a photodiode (such as a Si or SiGe photodiode), a waveguide (212) (such as a silicon waveguide); and a guard structure, wherein the guard structure comprises a diode, extends about all or substantially all of the periphery of the Si or SiGe photodiode and allows propagation of light from the silicon waveguide (212) into the Si or SiGe photodiode.
(FR)L'invention concerne une structure de protection contre les décharges électrostatiques destinée à des systèmes de photodiode basés sur une plateforme photonique. En particulier, la présente invention concerne un ensemble photodiode comprenant : une photodiode (telle qu'une photodiode à base de Si ou de SiGe), un guide d'ondes (212) (tel qu'un guide d'ondes à base de silicium); et une structure de protection, la structure de protection comprenant une diode, s'étendant autour de l'ensemble ou sensiblement autour de l'ensemble de la périphérie de la photodiode à base de Si ou de SiGe et permettant la propagation de la lumière à partir du guide d'ondes à base de silicium (212) dans la photodiode à base de Si ou de SiGe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)