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1. (WO2017189482) METHODS FOR CHEMICAL ETCHING OF SILICON
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Pub. No.:    WO/2017/189482    International Application No.:    PCT/US2017/029249
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 25.04.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BAJAJ, Geetika; (IN).
PATIL, Ravindra; (IN).
GORADIA, Prerna; (IN).
VISSER, Robert Jan; (US)
Agent: TABOADA, Alan; (US).
MOSER, JR., Raymond R.; (US).
LINARDAKIS, Leonard P.; (US)
Priority Data:
62/329,580 29.04.2016 US
Title (EN) METHODS FOR CHEMICAL ETCHING OF SILICON
(FR) PROCÉDÉS DE GRAVURE CHIMIQUE DU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Improved methods for chemically etching silicon are provided herein. In some embodiments, a method of etching a silicon material includes: (a) exposing the silicon material to a halogen-containing gas; (b) evacuating the halogen-containing gas from the semiconductor processing chamber; (c) exposing the silicon material to an amine vapor to etch a monolayer of the silicon material; (d) evacuating the amine vapor from the semiconductor processing chamber and; (e) optionally repeating (a)-(d) to etch the silicon material to a predetermined thickness.
(FR)L'invention concerne des procédés améliorés de gravure chimique du silicium. Dans certains modes de réalisation, un procédé de gravure d'une matière à base de silicium consiste : (a) à exposer la matière à base de silicium à un gaz contenant un halogène ; (b) à évacuer le gaz contenant un halogène de la chambre de traitement de semi-conducteurs; (c) à exposer la matière à base de silicium à une vapeur d'amine pour graver une monocouche de la matière à base de silicium ; (d) à évacuer la vapeur d'amine de la chambre de traitement de semi-conducteurs ; et (e) éventuellement, à répéter les étapes (a) à (d) pour graver la matière à base de silicium à une épaisseur prédéterminée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)