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1. (WO2017188785) PRESSURIZATION TYPE METHOD FOR MANUFACTURING METAL MONOATOMIC LAYER, METAL MONOATOMIC LAYER STRUCTURE, AND PRESSURIZATION TYPE APPARATUS FOR MANUFACTURING METAL MONOATOMIC LAYER
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Pub. No.:    WO/2017/188785    International Application No.:    PCT/KR2017/004579
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 28.04.2017
IPC:
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01)
Applicants: IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) [KR/KR]; 222, Wangsimni-ro Seongdong-gu Seoul 04763 (KR)
Inventors: SUNG, Myungmo; (KR).
HAN, Kyuseok; (KR).
KIM, Hongbum; (KR)
Agent: PARK, Sangyoul; (KR)
Priority Data:
10-2016-0052633 29.04.2016 KR
Title (EN) PRESSURIZATION TYPE METHOD FOR MANUFACTURING METAL MONOATOMIC LAYER, METAL MONOATOMIC LAYER STRUCTURE, AND PRESSURIZATION TYPE APPARATUS FOR MANUFACTURING METAL MONOATOMIC LAYER
(FR) PROCÉDÉ À PRESSURISATION SERVANT À LA FABRICATION DE COUCHE MÉTALLIQUE MONOATOMIQUE, STRUCTURE DE COUCHE MÉTALLIQUE MONOATOMIQUE ET APPAREIL À PRESSURISATION SERVANT À LA FABRICATION DE COUCHE MÉTALLIQUE MONOATOMIQUE
(KO) 가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치
Abstract: front page image
(EN)Provided is a pressurization type method for manufacturing a metal monoatomic layer. The pressurization type method for manufacturing a metal monoatomic layer, according to an embodiment of the present invention, may comprise: a metal precursor gas pressurized dosing step for, in a state where the inside of a chamber having a substrate is sealed, providing a metal precursor gas consisting of metal precursors, thereby increasing the pressure in the chamber and causing the metal precursors to be adsorbed onto the substrate; a main purging step for performing purging after the metal precursor gas pressurized dosing step; a reaction gas dosing step for providing a reaction gas after the main purging step, thereby reducing the metal precursors adsorbed onto the substrate to a metal monoatomic layer; and a main purging step for performing purging after the reaction gas dosing step.
(FR)L'invention porte sur un procédé à pressurisation servant à fabriquer une couche métallique monoatomique. Le procédé à pressurisation servant à fabriquer une couche métallique monoatomique, selon un mode de réalisation de la présente invention, peut comprendre : une étape de dosage sous pression de gaz précurseur métallique servant, dans un état dans lequel l'intérieur d'une chambre comportant un substrat est scellé, à fournir un gaz précurseur de métal constitué de précurseurs de métal, ce qui permet d'augmenter la pression dans la chambre et provoque l'adsorption des précurseurs de métal sur le substrat ; une étape de purge principale servant à effectuer une purge après l'étape de dosage sous pression de gaz précurseur de métal ; une étape de dosage de gaz de réaction servant à fournir un gaz de réaction après l'étape de purge principale, ce qui permet de réduire les précurseurs de métal adsorbés sur le substrat en une couche métallique monoatomique ; et une étape de purge principale servant à effectuer une purge après l'étape de dosage de gaz de réaction.
(KO)가압식 금속 단원층 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가압식 금속 단원자층 제조 방법은, 기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체를 상기 기판에 흡착시키는 금속 전구체 가스 가압 도징(dosing) 단계, 상기 금속 전구체 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징(main purging) 단계, 상기 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체를 금속 단원자층으로 환원하는 반응 가스 도징 단계 및 상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)