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1. (WO2017188546) THIN-FILM DEPOSITION METHOD
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Pub. No.:    WO/2017/188546    International Application No.:    PCT/KR2016/014887
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 19.12.2016
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01), C07F 7/00 (2006.01)
Applicants: EUGENETECH MATERIALS CO., LTD [KR/KR]; (Yeongtong innoplex, Woncheon-dong) 3-507, 304, Sinwon-ro Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 16675 (KR)
Inventors: LEE, Geun-Su; (KR)
Agent: JEONG, Seong-Jin; (KR)
Priority Data:
10-2016-0052273 28.04.2016 KR
Title (EN) THIN-FILM DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM MINCE
(KO) 박막 증착 방법
Abstract: front page image
(EN)A thin-film deposition method according to an embodiment of the present invention, that deposits a thin-film including a metal element on a substrate using atomic layer deposition (ALD), comprises: a substrate supply step of supplying a substrate having an oxide film in which a passivation film is formed to a deposition chamber; a first adhesion step of supplying a precursor including a metal element to the deposition chamber so as to adhere the precursor including a metal element onto the oxide film; a substitution step of supplying a compound for ligand substitution to the deposition chamber so as to substitute a ligand of the precursor including a metal element adhered in the first adhesion step; a second adhesion step of supplying the precursor including a metal element to the deposition chamber so as to selectively adhere the precursor including a metal element onto the oxide film; and an ozone supply step of supplying gas including ozone to the deposition chamber, wherein the first adhesion step, the substitution step, the second adhesion step and the ozone supply step form a cycle, and are performed in a plurality of cycles.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de dépôt de film mince qui permet de déposer un film mince comprenant un élément métallique sur un substrat au moyen d'un dépôt de couche atomique (ALD), comprenant : une étape d'apport de substrat consistant à apporter à une chambre de dépôt un substrat portant un film d'oxyde dans lequel un film de passivation est formé ; une première étape d'adhérence consistant à apporter à la chambre de dépôt un précurseur comprenant un élément métallique de manière à faire adhérer le précurseur comprenant un élément métallique au film d'oxyde ; une étape de substitution consistant à apporter à la chambre de dépôt un composé pour substitution de ligand de manière à substituer un ligand du précurseur comprenant un élément métallique fait adhérer à la première étape d'adhérence ; une seconde étape d'adhérence consistant à apporter à la chambre de dépôt le précurseur comprenant un élément métallique de manière à faire adhérer sélectivement le précurseur comprenant un élément métallique au film d'oxyde ; et une étape d'apport d'ozone consistant à apporter à la chambre de dépôt un gaz comprenant de l'ozone. La première étape d'adhérence, l'étape de substitution, la seconde étape d'adhérence et l'étape d'apport d'ozone forment un cycle, et sont exécutées dans une pluralité de cycles.
(KO)본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 금속원소를 포함하는 박막을 증착하는 박막 증착 방법은, 페시베이션막이 형성된 산화막을 구비하는 상기 기판을 증착 챔버에 공급하는 기판공급단계; 상기 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계; 상기 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 상기 제1 흡착단계에서 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계; 상기 증착 챔버에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계; 및 상기 증착 챔버에 오존을 포함하는 가스를 공급하는 오존공급단계를 포함하며, 상기 제1 흡착단계, 상기 치환단계, 상기 제2 흡착단계 및 상기 오존공급단계가 주기를 구성하여 복수의 주기로 수행된다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)