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1. (WO2017188218) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP EQUIPPED WITH PROTECTIVE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/188218    International Application No.:    PCT/JP2017/016287
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 25.04.2017
IPC:
H01L 21/301 (2006.01)
Applicants: LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventors: INAO Youichi; (JP).
SATO Akinori; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; (JP).
TAKAHASHI Norio; (JP).
IGARASHI Koei; (JP)
Priority Data:
2016-092010 28.04.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP EQUIPPED WITH PROTECTIVE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉQUIPÉE D’UNE PELLICULE PROTECTRICE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method for producing a semiconductor chip 19 equipped with a protective film, wherein an energy ray-curable film 13 for forming the protective film is affixed to a semiconductor wafer 18, the film 13 for forming the protective film is subsequently cured by being irradiated with energy rays, and the semiconductor wafer 18 is diced thereafter. When the film 13 for forming the protective film is irradiated with the energy rays to form the protective film 13', the tensile modulus of the protective film 13' is at least 500 MPa. The present invention also relates to a method for producing a semiconductor device, said method wherein the semiconductor chip 19 equipped with the protective film is picked up, and connected to a substrate.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de production d’une puce semi-conductrice (19) équipée d’une pellicule protectrice, une pellicule (13) durcissable par des rayons d’énergie pour la formation de la pellicule protectrice étant fixée à une plaquette semi-conductrice (18), la pellicule (13) pour la formation de la pellicule protectrice étant ensuite durcie par irradiation avec des rayons d’énergie, et la plaquette semi-conductrice (18) étant découpée par la suite. Lorsque la pellicule (13) pour la formation de la pellicule protectrice est irradiée avec les rayons d’énergie pour former la pellicule protectrice (13′), le module d’élasticité de la pellicule protectrice (13′) est d’au moins 500 MPa. La présente invention porte également sur un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur, le procédé consistant en ce que la puce semi-conductrice (19) équipée de la pellicule protectrice est saisie, et connectée à un substrat.
(JA)本発明は、半導体ウエハ18にエネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム13を貼付した後、保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射して硬化させ、次いで、半導体ウエハ18をダイシングする、保護膜付き半導体チップ19の製造方法に関する。保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射して保護膜13'としたとき、保護膜13'の引張弾性率が500MPa以上である。本発明は、保護膜付き半導体チップ19をピックアップし、半導体チップ19を基板に接続する、半導体装置の製造方法にも関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)