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Pub. No.: WO/2017/188177 International Application No.: PCT/JP2017/016177
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 24.04.2017
H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 31/0236 (2006.01)
Applicants: SETTSU OIL MILL., INC.[JP/JP]; 2-39, Noda 6-chome, Fukushima-ku, Osaka-shi, Osaka 5530005, JP
Inventors: AKAGI, Seimei; --
KAMADA, Yoshiteru; --
OHYAGI, Noboru; --
SAIDA, Toshinori; --
YAMAMOTO, Yuzo; --
Agent: HOSODA, Yoshinori; JP
Priority Data:
(JA) 半導体基板用エッチング液
Abstract: front page image
(EN) The present invention is an alkaline etching liquid for treating the surface of a semiconductor substrate for solar cells, wherein the etching liquid contains an alkaline agent and at least one hydroxystyrene-based polymer represented by general formula (1), the total amount of oligomers and monomers in which n is 1-8 contained in the hydroxystyrene-based polymer is no greater than 3.5% of the hydroxystyrene-based polymer. The present invention exhibits the effect of enabling texture formation on a semiconductor substrate for a solar cell in a shorter time at a relatively low temperature, exhibiting exceptional continuous producibility and product storage stability, and making it possible to stably obtain a surface having and low light reflectance. It is also possible to stably form pyramid-shaped recesses and projections of 3 μm or less on average, and to stably impart surface shapes exhibiting a light reflectivity of 10% or less, which were unobtainable using prior art, to a semiconductor substrate for a solar cell, without being affected by lot-to-lot fluctuations in the raw materials for the etching liquid.
(FR) La présente invention concerne un liquide de gravure alcalin destiné à traiter la surface d'un substrat semi-conducteur destiné à des photopiles, le liquide de gravure comprenant un agent alcalin et au moins un polymère à base d'hydroxystyrène représenté par la formule générale (1), la quantité totale d'oligomères et de monomères dans lesquels n est se situe entre 1 et 8 compris dans le polymère à base d'hydroxystyrène ne dépassant pas 3,5 % du polymère à base d'hydroxystyrène. La présente invention a pour effet de permettre la formation de texture sur un substrat semi-conducteur destiné à une photopile en un temps plus court à une température relativement basse, d'offrir une productibilité continue et une stabilité de stockage de produit exceptionnelles, et de permettre d'obtenir de manière stable une surface présentant un faible facteur de réflectance de la lumière. Il est également possible de former de manière stable des creux et saillies de forme pyramidale de 3 µm ou moins en moyenne, et de conférer de manière stable des formes de surface offrant une réflectivité de la lumière inférieure ou égale à 10 %, qui ne pouvaient pas être obtenues dans l'état de la technique, à un substrat semi-conducteur destiné à une photopile, sans subir l'influence de fluctuations de lot à lot dans les matières premières pour le liquide de gravure.
(JA) 本発明は、太陽電池用半導体基板の表面を処理するためのアルカリ性のエッチング液であって、一般式(1)で表される少なくとも一種のヒドロキシスチレン系重合体、並びにアルカリ剤とを含み、当該ヒドロキシスチレン系重合体に含まれるnが1~8で表されるモノマー及びオリゴマーの合計が、該ヒドロキシスチレン系重合体の3.5%以下である、エッチング液である。 本発明によれば、比較的低温側でより短時間で太陽電池用半導体基板へのテクスチャー形成が可能で連続生産性、製品保存安定性に優れ、光反射率の低い表面が安定的に得られるという効果が発揮される。また、平均3μm以下のピラミッド状の凹凸を安定的に形成させ、従来技術では得られなかった10%以下の光反射率を示す表面形状を、エッチング液原料のロット振れに左右されず太陽電池用半導体基板に安定的に付与することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)