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1. (WO2017187995) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS
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Pub. No.:    WO/2017/187995    International Application No.:    PCT/JP2017/015064
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 13.04.2017
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: OKA Mikio; (JP).
KANDA Yasuo; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Priority Data:
2016-088828 27.04.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体記憶装置、駆動方法、および電子機器
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure relates to: a semiconductor storage device enabling to suppress layout area, and improve reliability; a drive method; and an electronic apparatus. This semiconductor storage device is provided with: at least one selection transistor; a variable resistance element, wherein one end section is connected to a bit line, the other end section is connected to a drain terminal of the selection transistor, and a resistance value changes when a current at a predetermined value or more flows; and a write control unit, which is connected to a connection point between the selection transistor and the variable resistance element, and controls a current flowing to the variable resistance element when writing data in the variable resistance element. The present technology can be applied to, for instance, non-volatile memory that is provided with a storage element configured from a magnetic tunnel junction.
(FR)L'invention concerne : un dispositif de stockage à semi-conducteurs permettant de supprimer la zone d'implantation et d'améliorer la fiabilité ; un procédé de commande ; et un appareil électronique. Le dispositif de stockage à semi-conducteurs comprend : au moins un transistor de sélection ; un élément à résistance variable, une section d'extrémité étant connectée à une ligne de bits, l'autre section d'extrémité étant connectée à une borne de drain du transistor de sélection, et une valeur de résistance changeant lorsqu'un courant s’écoule à une valeur prédéterminée ou supérieure ; et une unité de commande d'écriture, qui est connectée à un point de connexion entre le transistor de sélection et l'élément à résistance variable et qui commande un courant circulant vers l'élément à résistance variable lors de l'écriture de données dans l'élément à résistance variable. La technologie de l’invention peut s’appliquer, par exemple, à une mémoire non volatile qui est pourvue d'un élément de stockage configuré à partir d'une jonction à effet tunnel magnétique.
(JA)本開示は、レイアウト面積を抑制し、かつ、信頼性の向上を図ることができるようにする半導体記憶装置、駆動方法、および電子機器に関する。 半導体記憶装置は、少なくとも1つ以上の選択トランジスタと、一方の端部がビット線に接続されるとともに他方の端部が選択トランジスタのドレイン端子に接続され、所定値以上の電流を流すことによって抵抗値が変化する抵抗変化素子と、選択トランジスタと抵抗変化素子との接続点に接続され、抵抗変化素子にデータを書き込む際に抵抗変化素子に流れる電流を制御する書き込み制御部とを備える。本技術は、例えば、磁気トンネル接合により構成される記憶素子を備える不揮発性メモリに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)