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1. (WO2017187951) DEVELOPMENT METHOD, DEVELOPMENT DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
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Pub. No.:    WO/2017/187951    International Application No.:    PCT/JP2017/014713
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 10.04.2017
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/30 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: SHIMOAOKI, Takeshi; (JP).
HASHIMOTO, Yusaku; (JP).
FUKUDA, Masahiro; (JP).
TANAKA, Kouichirou; (JP)
Agent: YAYOY PATENT OFFICE; (JP)
Priority Data:
2016-091125 28.04.2016 JP
Title (EN) DEVELOPMENT METHOD, DEVELOPMENT DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉVELOPPEMENT, DISPOSITIF DE DÉVELOPPEMENT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 現像方法、現像装置及び記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a technology for suppressing post-development line width unsteadiness during development of an exposed wafer using a developer. [Solution] A negative-type developer D is supplied to a wafer W that has been subjected to an exposure process, and a development process is performed. Then, after drying by rotating the wafer W to drain the developer D on the surface, or after pure water P is supplied to the surface of the wafer W and the pure water P replaces the developer D as a liquid residue on the surface of the wafer W, a rinse fluid R is supplied to clean the surface of the wafer W. Accordingly, the developer D and the rinse fluid R do not become mixed, thus suppressing the dissolution, by the mixed solution of the developer D and the rinse fluid R, of a portion of a resist film that has been made insoluble by the exposure. Thus, the unsteadiness in the line width of a circuit pattern formed on the wafer W can be suppressed.
(FR)[Problème] Fournir une technologie permettant de supprimer l'instabilité de la largeur de ligne post-développement pendant le développement d'une plaquette exposée au moyen d'un révélateur. [Solution] Un révélateur de type négatif D est fourni à une plaquette W qui a été soumise à un processus d'exposition, et un processus de développement est effectué. Puis, après un séchage consistant à faire tourner la plaquette W pour évacuer le révélateur D présent sur la surface, ou après que de l'eau pure P a été amenée sur la surface de la tranche W et que l'eau pure P a remplacé le révélateur D comme résidu liquide présent sur la surface de la tranche W, un liquide de rinçage R est fourni pour nettoyer la surface de la tranche W. Par conséquent, le révélateur D et le liquide de rinçage R ne se mélangent pas, ce qui empêche la dissolution, par la solution consistant en un mélange du révélateur D et du liquide de rinçage R, d'une partie d'un film de réserve qui a été rendu insoluble par l'exposition. On peut donc supprimer l'instabilité de la largeur de ligne d'un motif de circuit formé sur la plaquette W.
(JA)【課題】露光したウエハを現像液により現像するにあたって、現像後の線幅の乱れを抑制する技術を提供すること。 【解決手段】 露光処理が行われたウエハWにネガ型の現像液Dを供給して、現像処理を行い、次いでウエハWを回転させて表面の現像液Dを振り切って乾燥させた後、あるいは、ウエハWの表面に純水Pを供給してウエハWの表面の液溜まりを現像液Dから純水Pに置換した後、リンス液Rを供給してウエハWの表面を洗浄するようにしている。このため現像液Dとリンス液Rとが混合せず、混合液によるレジスト膜における露光により不溶となった部分の溶解を抑制することができる。従ってウエハWに形成される回路パターンの線幅の乱れを抑制することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)