(EN) In order to improve the reliability of a power conversion device while avoiding increasing the size and cost of the power conversion device, a power conversion device according to the present invention is equipped with power semiconductor modules, and a flow path formation body that houses the power semiconductor modules and forms a flow path in which a refrigerant flows. The flow path formation body forms a first opening running from one surface of the flow path formation body to the flow path. The power semiconductor modules form a first seal surface, which is formed along the direction in which the power semiconductor modules are inserted into the flow path, and faces the flow path formation body, and a second seal surface, which is formed along the insertion direction and faces the flow path formation body.
(FR) Afin d'améliorer la fiabilité d'un dispositif de conversion de courant tout en évitant d'augmenter la taille et le coût du dispositif de conversion de courant, un dispositif de conversion de courant selon la présente invention est équipé de modules à semi-conducteurs de courant, et d'un corps de formation de chemin d'écoulement qui loge les modules à semi-conducteurs de courant et forme un chemin d'écoulement dans lequel circule un réfrigérant. Le corps de formation de chemin d'écoulement forme une première ouverture s'étendant d'une surface du corps de formation de chemin d'écoulement au chemin d'écoulement. Les modules à semi-conducteurs de courant forment une première surface d'étanchéité, qui est formée le long de la direction dans laquelle les modules à semi-conducteurs de courant sont insérés dans le chemin d'écoulement et fait face au corps de formation de chemin d'écoulement, et une seconde surface d'étanchéité, qui est formée le long de la direction d'insertion et fait face au corps de formation de chemin d'écoulement.
(JA) 電力変換装置が大型化や高コスト化を抑制しながら、電力変換装置の信頼性を向上させることである。 本発明に係る電力変換装置は、パワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールを収納するとともに冷媒を流す流路を形成する流路形成体と、を備え、前記流路形成体は、当該流路形成体の一面から前記流路へと連通する第1開口を形成し、 前記パワー半 導体モジュールは、当該パワー半導体モジュールの前記流路への挿入方向に沿って形成されかつ前記流路形成体と対向する第1シール面と、前記挿入方向に沿って形成されかつ前記流路形成体と対向する第2シール面と、を形成する。