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1. (WO2017187768) ELASTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
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Pub. No.:    WO/2017/187768    International Application No.:    PCT/JP2017/007829
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 28.02.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: KAWASAKI, Kentaro; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2016-086907 25.04.2016 JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is an elastic wave device with which productivity can be increased and insertion loss can be decreased. An elastic wave device 1 comprises: a piezoelectric substrate 2; first to third IDT electrodes 4A-4C which are provided on the piezoelectric substrate 2; and a dielectric film 5 which is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the first to third IDT electrodes 4A-4C, and in which the thickness of a first region A covering the first IDT electrode 4A is different from the thickness of second and third regions B, C covering the second and third IDT electrodes 4B, 4C. First to third elastic wave filters 3A-3C (first to third elastic wave elements), which include the first to third IDT electrodes 4A-4C and the dielectric film 5, are formed. When the thickness calculated assuming that the densities of the materials constituting the first to third IDT electrodes 4A-4C are all the same density is regarded as the density-converted thickness, the density-converted thicknesses of the first and second IDT electrodes 4A, 4B are the same, and the density-converted thickness of the third IDT electrode 4C is different from the density-converted thicknesses of the first and second IDT electrodes 4A, 4B.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à ondes élastiques avec lequel la productivité peut être augmentée et la perte d'insertion peut être diminuée. Un dispositif à ondes élastiques 1 comprend : un substrat piézoélectrique 2 ; des première à troisième électrodes IDT 4A-4C qui sont disposées sur le substrat piézoélectrique 2 ; et un film diélectrique 5 qui est disposé sur le substrat piézoélectrique 2 de façon à recouvrir les première à troisième électrodes IDT 4A-4C, et dans lequel l'épaisseur d'une première région A recouvrant la première électrode IDT 4A est différente de l'épaisseur des deuxième et troisième régions B, C recouvrant les deuxième et troisième électrodes IDT 4B, 4C. Des premier à troisième filtres à ondes élastiques 3A-3C (premier à troisième éléments à ondes élastiques), qui comprennent les première à troisième électrodes IDT 4A-4C et le film diélectrique 5, sont formés. Lorsque l'épaisseur calculée, en supposant que les densités des matériaux constituant les première à troisième électrodes IDT 4A-4C sont toutes la même densité, est considérée comme étant l'épaisseur convertie en densité, les épaisseurs converties en densité des première et deuxième électrodes IDT 4A, 4B sont identiques, et l'épaisseur convertie en densité de la troisième électrode IDT 4C est différente des épaisseurs converties en densité des première et deuxième électrodes IDT 4A, 4B.
(JA)生産性を高めることができ、かつ挿入損失を小さくすることができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、圧電基板2と、圧電基板2上に設けられている第1~第3のIDT電極4A~4Cと、第1~第3のIDT電極4A~4Cを覆うように圧電基板2上に設けられており、かつ第1のIDT電極4Aを覆っている第1の領域Aの厚みと、第2及び第3のIDT電極4B,4Cを覆っている第2,第3の領域B,Cの厚みとが異なる誘電体膜5とを備える。第1~第3のIDT電極4A~4C及び誘電体膜5を含む第1~第3の弾性波フィルタ3A~3C(第1~第3の弾性波素子)が構成されている。第1~第3のIDT電極4A~4Cをそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、第1,第2のIDT電極4A,4Bの密度換算厚みが等しく、第3のIDT電極4Cの密度換算厚みは第1,第2のIDT電極4A,4Bの密度換算厚みと異なる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)