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1. (WO2017187760) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Pub. No.: WO/2017/187760 International Application No.: PCT/JP2017/007590
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 28.02.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
Inventors: KAWAI Jun; JP
SUGIURA Kazuhiko; JP
KIMOTO, Yasuji; JP
KONDO, Kayo; JP
Agent: JIN Shunji; JP
Priority Data:
2016-08957827.04.2016JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a silicon carbide semiconductor device that includes the following: a semiconductor substrate (1), which has a front surface (1a) and a back surface (1b) and which is constituted from silicon carbide; and an ohmic electrode (11), which is joined in an ohmic manner to the front surface or the back surface of the semiconductor substrate. The ohmic electrode includes a metal silicide (11a) and a metal carbide (11b). The metal silicide surrounds the periphery of the metal carbide, which is formed as blocks. The metal silicide is disposed between the semiconductor substrate and the metal carbide.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium qui comprend les éléments suivants : un substrat semi-conducteur (1), qui présente une surface avant (1a) et une surface arrière (1b) et qui est constitué de carbure de silicium ; et une électrode ohmique (11), qui est jointe d'une manière ohmique à la surface avant ou à la surface arrière du substrat semi-conducteur. L'électrode ohmique comprend un siliciure métallique (11a) et un carbure métallique (11b). Le siliciure métallique entoure la périphérie du carbure métallique, qui se présente sous forme de blocs. Le siliciure métallique est disposé entre le substrat semi-conducteur et le carbure métallique.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、表面(1a)および裏面(1b)を有し、炭化珪素で構成された半導体基板(1)と、該半導体基板の前記表面もしくは前記裏面に対してオーミック接合させられたオーミック電極(11)とを有する。前記オーミック電極は、金属シリサイド(11a)と金属カーバイド(11b)を含む。ブロック状で構成された前記金属カーバイドの周囲を前記金属シリサイドが囲んでいる。前記半導体基板と前記金属カーバイドとの間に前記金属シリサイドが配置されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)