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1. (WO2017186486) A MEMBRANE FOR EUV LITHOGRAPHY
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Pub. No.: WO/2017/186486 International Application No.: PCT/EP2017/058721
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 12.04.2017
IPC:
G03F 1/24 (2012.01) ,G03F 1/62 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: ASML NETHERLANDS B.V.[NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven, NL
Inventors: NASALEVICH, Maxim, Aleksandrovich; NL
ABEGG, Erik, Achilles; NL
BANERJEE, Nirupam; NL
BLAUW, Michiel, Alexander; NL
BROUNS, Derk, Servatius, Gertruda; NL
JANSSEN, Paul; NL
KRUIZINGA, Matthias; NL
LENDERINK, Egbert; NL
MAXIM, Nicolae; NL
NIKIPELOV, Andrey; NL
NOTENBOOM, Arnoud, Willem; NL
PILIEGO, Claudia; NL
PÉTER, Mária; NL
RISPENS, Gijsbert; NL
SCHUH, Nadja; NL
VAN DE KERKHOF, Marcus, Adrianus; NL
VAN DER ZANDE, Willem, Joan; NL
VAN ZWOL, Pieter-Jan; NL
VERBURG, Antonius, Willem; NL
VERMEULEN, Johannes, Petrus, Martinus, Bernardus; NL
VLES, David, Ferdinand; NL
VOORTHUIJZEN, Willem-Pieter; NL
ZDRAVKOV, Alexandar, Nikolov; NL
Agent: FILIP, Diana; NL
Priority Data:
16166775.325.04.2016EP
16195123.121.10.2016EP
16205298.920.12.2016EP
Title (EN) A MEMBRANE FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) MEMBRANE POUR LITHOGRAPHIE EUV
Abstract: front page image
(EN) Membranes for EUV lithography are disclosed. In one arrangement, a membrane comprises a stack having layers in the following order: a first capping layer comprising an oxide of a first metal; a base layer comprising a compound comprising a second metal and an additional element selected from the group consisting of Si, B, C and N; and a second capping layer comprising an oxide of a third metal, wherein the first metal is different from the second metal and the third metal is the same as or different from the first metal.
(FR) L'invention concerne des membranes pour la lithographie EUV. Dans un mode de réalisation, une membrane comprend un empilement ayant des couches dans l'ordre suivant : une première couche de recouvrement comprenant un oxyde d'un premier métal ; une couche de base comprenant un composé comprenant un deuxième métal et un élément supplémentaire choisi dans le groupe constitué par Si, B, C et N ; et une seconde couche de recouvrement comprenant un oxyde d'un troisième métal, le premier métal étant différent du deuxième métal et le troisième métal étant identique au premier métal ou différent du premier métal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)