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1. (WO2017186394) METHOD FOR PROTECTING A SEMICONDUCTOR SWITCH, PROTECTIVE DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH, AND CONTROL CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH
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Pub. No.:    WO/2017/186394    International Application No.:    PCT/EP2017/055526
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 09.03.2017
IPC:
H03K 17/082 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: RICHTER, Tobias; (DE).
SINN, Peter; (DE).
LAICH, Sebastian; (DE).
HEIL, Matthias; (DE)
Priority Data:
10 2016 207 384.2 29.04.2016 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM SCHUTZ EINES HALBLEITERSCHALTERS, SCHUTZVORRICHTUNG FÜR EINEN HALBLEITERSCHALTER UND ANSTEUERSCHALTUNG FÜR EINEN HALBLEITERSCHALTER
(EN) METHOD FOR PROTECTING A SEMICONDUCTOR SWITCH, PROTECTIVE DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH, AND CONTROL CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) PROCÉDÉ DE PROTECTION D’UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE PROTECTION POUR COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT DE COMMANDE D’UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft den Schutz eines Halbleiterschalters vor Überspannungen während eines Ausschaltvorgangs. Hierbei wird an einem Eingang einer Treiberstufe für einen auszuschaltenden Halbleiterschalter ein Kompensationssignal bereitgestellt, wenn die Spannung am Ausgang des Halbleiterschalters einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet, und dabei gleichzeitig eine Anforderung für ein Öffnen des Halbleiterschalters an einem Eingang der Treiberstufe für den Halbleiterschalter detektiert wird. Dieses Kompensationssignal wird dabei auf eine vorgegebene Zeitspanne begrenzt. Basierend auf dem so bereitgestellten Kompensationssignal steuert die Treiberstufe für den Halbleiterschalter den Halbleiterschalter teilweise an, um übermäßig schnelles Öffnen des Halbleiterschalters zu unterbinden.
(EN)The invention relates to the protection of a semiconductor switch against overvoltages during a deactivation process. A compensation signal is provided at an input of a driver stage for a semiconductor switch to be deactivated if the voltage at the output of the semiconductor switch exceeds a specified threshold, and simultaneously a request to open the semiconductor switch is detected at an input of the driver stage for the semiconductor switch. The compensation signal is limited to a specified duration. On the basis of the compensation signal provided in the aforementioned manner, the driver stage for the semiconductor switch partly controls the semiconductor switch in order to prevent an excessively quick opening of the semiconductor switch.
(FR)La présente invention concerne la protection d’un commutateur à semi-conducteur contre des surtensions lors d’un processus de déconnexion. Selon l’invention, un signal de compensation est appliqué à une entrée d’un étage d’attaque d’un commutateur à semi-conducteur à déconnecter lorsque la tension à la sortie du commutateur à semi-conducteur dépasse une valeur limite prescrite et dans le même temps une demande d’ouverture du commutateur à semi-conducteur est détectée à une entrée de l’étage d’attaque du commutateur à semi-conducteur. Ce signal de compensation est limité à un intervalle de temps prédéterminé. Sur la base du signal de compensation ainsi fourni, l’étage d’attaque du commutateur à semi-conducteur commande partiellement le commutateur à semi-conducteur afin d’éviter que le commutateur à semi-conducteur ne s’ouvre beaucoup trop rapidement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)