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1. (WO2017186382) POWER TRANSISTOR, DRIVER, AND OUTPUT STAGE
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Pub. No.:    WO/2017/186382    International Application No.:    PCT/EP2017/054788
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 01.03.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: LOHMEYER, Henning; (DE).
MANN, Alexander; (DE).
SCHNEIDER, Daniel; (DE)
Priority Data:
102016207349.4 29.04.2016 DE
Title (DE) LEISTUNGSTRANSISTOR, TREIBER UND ENDSTUFE
(EN) POWER TRANSISTOR, DRIVER, AND OUTPUT STAGE
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE, CIRCUIT D’ATTAQUE ET ÉTAGE DE SORTIE
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen Leistungstransistor, einen Treiber und eine Endstufe. Der Leistungstransistor umfasst einen aktiven Bereich und eine über dem aktiven Bereich angeordneten Metallisierungsebene zur Leistungsverteilung und zur Detektion eines bevorstehenden, durch wiederholtes Leistungspulsen verursachten Stress (RPP-Stress) bedingten Metallisierungsfehlers. Weiterhin umfasst der Leistungstransistor eine über der Metallisierungsebene angeordnete, weitere Metallisierungsebene (500), in der sich galvanisch getrennte Metallelemente (510, 520) in eine Erstreckungsrichtung parallel zueinander erstrecken, von denen ein Paar zur Leistungsversorgung des Leistungstransistors dient. Der Leistungstransistor ist dadurch gekennzeichnet, dass in der weiteren Metallisierungsebene (500) mindestens eine Aussparung über dem aktiven Bereich ausgebildet ist. Die Aussparung bewirkt eine verringerte Wärmeabfuhr. Dadurch erwärmt sich der Leistungstransistor im eingegrenzten Bereich stärker, sodass im durch die Kanten der Metallelemente bestimmten Übergangsbereich große Temperaturgradienten auftreten.
(EN)The invention relates to a power transistor, to a driver, and to an output stage. The power transistor comprises an active area and a metalization plane arranged over the active area for distributing power and for detecting an imminent metalization fault resulting from stress caused by repeated power pulses (RPP stress). Furthermore, the power transistor comprises a further metalization plane (500), which is arranged over the metalization plane and in which galvanically isolated metal elements (510, 520) extend parallel to each other in an extension direction, a pair of which metal elements is used to supply power to the power transistor. The power transistor is characterized in that at least one cut-out is formed in the further metalization plane (500) over the active area. The cut-out causes reduced heat removal. Thus, the power transistor heats up more intensely in the delimited area such that large temperature gradients occur in the transition region defined by the edges of the metal elements.
(FR)La présente invention concerne un transistor de puissance, un circuit d’attaque et un étage de sortie. Le transistor de puissance comporte une région active et un niveau de métallisation disposé au-dessus de la région active pour distribuer l’énergie et pour détecter un défaut de métallisation imminent dû à une contrainte répétée causée par des impulsions électriques (RPP-stress). En outre, le transistor de puissance comporte un autre niveau de métallisation (500) qui est disposé au-dessus du niveau de métallisation et dans lequel des éléments métalliques (510, 520) séparés galvaniquement s’étendent parallèlement les uns aux autres dans une direction d’extension, dont une paire sert à alimenter en énergie le transistor de puissance. Le transistor de puissance est caractérisé en ce qu’au moins un évidement est ménagé dans l’autre niveau de métallisation (500) au-dessus la région active. L’évidement provoque une dissipation thermique réduite. En conséquence, le transistor de puissance s’échauffe davantage dans la région délimitée de sorte que des gradients de température importants apparaissent dans la région de transition définie par les bords des éléments métalliques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)