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1. (WO2017185879) THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF
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Pub. No.:    WO/2017/185879    International Application No.:    PCT/CN2017/075753
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 06.03.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: NING, Ce; (CN).
YANG, Wei; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201610278253.4 28.04.2016 CN
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, APPAREIL D'AFFICHAGE LE COMPRENANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A thin film transistor includes a base substrate(100); an active layer(200') on the base substrate having a channel region, a source electrode contact region, and a drain electrode contact region; an etch stop layer(600) on a side of the channel region distal to the base substrate covering the channel region; a source electrode(300') on a side of the source electrode contact region distal to the base substrate; and a drain electrode (300') on a side of the drain electrode contact region distal to the base substrate. A thickness of the active layer in the source electrode contact region and the drain electrode contact region is substantially the same as a combined thickness of the active layer in the channel region and the etch stop layer.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces qui comprend un substrat de base (100) ; une couche active (200') sur le substrat de base ayant une zone de canal, une zone de contact d'électrode de source et une zone de contact d'électrode déversoir ; une couche d'arrêt de gravure (600) recouvrant la zone de canal sur un côté de la zone de canal, distal par rapport au substrat de base ; une électrode de source (300') sur un côté de la zone de contact d'électrode de source, distal par rapport au substrat de base ; une électrode déversoir (300') sur un côté de la zone de contact d'électrode de drain, distal par rapport au substrat de base. Une épaisseur de la couche active dans la zone de contact d'électrode de source et la zone de contact d'électrode déversoir est sensiblement égale à une épaisseur combinée de la couche active dans la zone de canal et de la couche d'arrêt de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)