WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017185592) TEXTURING METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON WAFER CUT BY DIAMOND WIRE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/185592 International Application No.: PCT/CN2016/099441
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 20.09.2016
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,C30B 33/10 (2006.01)
Applicants: NANJING TECH UNIVERSITY[CN/CN]; No.5 Xinmofan Road, Gulou District Nanjing, Jiangsu 210009, CN
Inventors: GUAN, Zisheng; CN
LI, Jun; CN
SHEN, Zhimei; CN
LU, Chunhua; CN
XU, Zhongzi; CN
Agent: NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); Room 1912, Longtaiguoji Mansion No.198, East Zhongshan Street, Baixia District Nanjing, Jiangsu 210005, CN
Priority Data:
201610280078.229.04.2016CN
Title (EN) TEXTURING METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON WAFER CUT BY DIAMOND WIRE
(FR) PROCÉDÉ DE TEXTURATION DE TRANCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DÉCOUPÉE PAR UN FIL DE DIAMANT
(ZH) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a texturing method of a polycrystalline silicon wafer cut by a diamond wire, comprising the steps of: firstly, immersing the polycrystalline silicon wafer cut by a diamond wire into a mixed aqueous solution of an alkaline solution and an alkaline reaction control agent, removing the surface damage layer of the silicon wafer and then immersing the polycrystalline silicon wafer into a hydrofluoric acid solution containing inorganic ions and organic molecules for a reaction; secondly, using a mixed solution of a hydrofluoric acid and hydrogen peroxide to pre-treat the polycrystalline silicon surface and adding a pore-forming regulator at the same time; and finally texturing the silicon wafer surface using a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid. The resulting textured polycrystalline wafer not only has a uniform textured surface, a small colour difference and a consistent etching depth, but also has a low surface reflectivity and a relatively high conversion efficiency. Moreover, the texturing method is simple and feasible; the reagent cost is relatively low; the reaction conditions are easy to implement; and the texturing method is relatively good in compatibility with an existing industrial production procedure.
(FR) L'invention porte sur un procédé de texturation d'une tranche de silicium polycristallin découpée par un fil de diamant, qui comprend les étapes consistant à : immerger premièrement la tranche de silicium polycristallin découpée par un fil de diamant dans une solution aqueuse mixte d'une solution alcaline et d'un agent de régulation de réaction alcaline, éliminer de la couche de surface endommagée de la tranche de silicium, puis immerger la tranche de silicium polycristallin dans une solution d'acide fluorhydrique contenant des ions inorganiques et des molécules organiques pour provoquer une réaction ; deuxièmement, utiliser une solution mixte d'un acide fluorhydrique et de peroxyde d'hydrogène pour prétraiter la surface de silicium polycristallin, et ajouter en même temps un régulateur de formation de pores ; et finalement texturer la surface de la tranche de silicium à l'aide d'une solution acide mixte d'acide fluorhydrique et d'acide nitrique. La tranche polycristalline texturée obtenue présente non seulement une surface texturée uniforme, une faible différence de couleur et une profondeur de gravure constante, mais également une faible réflectivité de surface et un rendement de conversion relativement élevé. De plus, le procédé de texturation est simple et réalisable ; le coût du réactif est relativement faible ; les conditions de réaction sont faciles à mettre en oeuvre ; et le procédé de texturation présente une compatibilité relativement bonne avec une procédure de production industrielle existante.
(ZH) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法,包括如下步骤:首先将金刚线切割多晶硅片浸入碱溶液和碱反应控制剂的混合水溶液中,去除硅片表面损伤层后,浸入含有无机离子和有机分子的氢氟酸溶液中反应,其次采用氢氟酸及双氧水的混合溶液对多晶硅表面进行预处理,同时加入造孔调节剂,最后采用氢氟酸及硝酸混合酸溶液对硅片表面进行制绒。制得的多晶硅绒面片不仅绒面均匀、色差小、刻蚀深度一致,且其具有低表面反射率和较高的转换效率,且该制绒方法简单易行,试剂成本较低,反应条件易于实现,与现有工业化生产工序兼容性较好。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)