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1. (WO2017185490) THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.: WO/2017/185490 International Application No.: PCT/CN2016/085489
Publication Date: 02.11.2017 International Filing Date: 12.06.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD[CN/CN]; DING, Ke Building C5 Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430079, CN
Inventors: TU, Wanghua; CN
YIN, Wanting; CN
Agent: ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
201610273749.228.04.2016CN
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 薄膜晶体管结构及其制作方法
Abstract: front page image
(EN) A thin film transistor structure (100), comprising a substrate (110), a shading resin (120), a polycrystalline silicon (130), a gate insulating layer (140), a gate (150), a dielectric layer (160), a source (172), and a drain (171). The shading resin (120) has both shading and insulating functions, and is doped by means of two ends of a through hole. Therefore, the present invention achieves the technical effects of simplifying the production process and the exposure process, shortening the production time, reducing the use of masks, and lowering costs.
(FR) L'invention porte sur une structure de transistor à couches minces (100), comprenant un substrat (110), une résine de protection contre la lumière (120), un silicium polycristallin (130), une couche d'isolation de grille (140), une grille (150), une couche diélectrique (160), une source (172) et un drain (171). La résine de protection contre la lumière (120) possède à la fois des fonctions de protection contre la lumière et d'isolation, et est dopée au moyen de deux extrémités d'un trou traversant. Par conséquent, la présente invention permet d'obtenir les effets techniques de simplification du processus de production et du processus d'exposition, de raccourcissement du temps de production, de réduction de l'utilisation de masques, et de réduction des coûts.
(ZH) 一种薄膜晶体管结构(100),其包括一基板(110)、一遮光树脂(120)、一多晶硅(130)、一栅极绝缘层(140)、一栅极(150)、一间介电层(160)以及一源极(172)以及一漏极(171)。其中遮光树脂(120)同时具有遮光以及绝缘的功能,通过两端过孔掺杂,因此能简化生产工艺、简化曝光工艺、缩短生产时间、减少掩膜使用以及降低成本等技术效果。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)