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1. (WO2017184248) WORD LINE-DEPENDENT AND TEMPERATURE-DEPENDENT PASS VOLTAGE DURING PROGRAMMING
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Pub. No.:    WO/2017/184248    International Application No.:    PCT/US2017/018545
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 19.02.2017
IPC:
G11C 16/34 (2006.01), G11C 7/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: PANG, Liang; (US).
DONG, Yingda; (US).
YUAN, Jiahui; (US).
REN, Jingjian; (US)
Agent: MAGEN, Burt; (US)
Priority Data:
15/136,429 22.04.2016 US
Title (EN) WORD LINE-DEPENDENT AND TEMPERATURE-DEPENDENT PASS VOLTAGE DURING PROGRAMMING
(FR) TENSION DE PASSAGE DÉPENDANTE DE LIGNE DE MOTS ET DE LA TEMPÉRATURE PENDANT UNE PROGRAMMATION
Abstract: front page image
(EN)Techniques are provided for avoiding over-programming can occur on memory cells connected to a data word line at a source-side of a block of word lines. A gradient in the channel potential is created during a program voltage between the data word line and an adjacent dummy word line. This gradient generates electron-hole pairs which can contribute to over programming, where the over programming is worse at higher temperatures. In one aspect, pass voltages of unselected word lines are set to be relatively lower when the temperature is relatively higher, and when the selected word line is among a set of one or more source-side word lines. On the other hand, the pass voltages are set to be relatively higher when the temperature is relatively higher, and when the selected word line is not among the one or more source-side word lines.
(FR)La présente invention concerne des techniques pour éviter une surprogrammation qui peut survenir sur des cellules de mémoire connectées à une ligne de mots de données au niveau d'un côté source d'un bloc de lignes de mots. Un gradient du potentiel de canal est créé pendant une tension de programme entre la ligne de mots de données et une ligne de mots factice adjacente. Ce gradient génère des paires électron-trou qui peuvent contribuer à une surprogrammation, la surprogrammation étant plus sévère à des températures plus élevées. Dans un aspect, les tensions de passage de lignes de mots non sélectionnées sont définies de préférence à être relativement plus faibles lorsque la température est relativement plus élevée, et lorsque la ligne de mots sélectionnée fait partie d'un ensemble d'une ou plusieurs lignes de mots côté source. D'autre part, les tensions de passage sont définies de façon à être relativement plus élevées lorsque la température est relativement plus élevée, et lorsque la ligne de mots sélectionnée ne fait pas partie des une ou plusieurs lignes de mots côté source.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)