WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017183580) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/183580 International Application No.: PCT/JP2017/015306
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 14.04.2017
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD.[JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventors: OTSUKA Takukazu; JP
Agent: MIYOSHI Hidekazu; JP
TERAYAMA Keishin; JP
Priority Data:
2016-08363419.04.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE PUISSANCE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置、パワーモジュール及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device is provided with a semiconductor chip (12), and a silver fired cap (22) formed so as to cover a source pad electrode (14) on the semiconductor chip (12). The semiconductor chip (12) is arranged on a first substrate electrode (10B), and one end of a copper wire (18) is bonded onto the silver fired cap (22) using ultrasonic waves. A semiconductor device having improved power cycle withstand capacity, a power module, and a method for manufacturing the same are provided.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu d'une puce à semi-conducteur (12), et d'un capuchon cuit en argent (22) formé de façon à recouvrir une électrode de plot de source (14) sur la puce à semi-conducteur (12). La puce à semi-conducteur (12) est agencée sur une première électrode de substrat (10B), et une extrémité d'un fil de cuivre (18) est fixée sur le capuchon cuit en argent (22) au moyen d'ondes ultrasonores. L'invention concerne en outre un dispositif à semi-conducteur ayant une capacité de résistance améliorée aux cycles de puissance, un module de puissance et son procédé de fabrication.
(JA) 半導体装置は、半導体チップ(12)と、半導体チップ(12)上のソースパッド電極(14)を覆うように形成される銀焼成キャップ(22)とを備える。半導体チップ(12)が第1の基板電極(10B)上に配置され、超音波により銀焼成キャップ(22)上に銅ワイヤ(18)の一方端が接合される。パワーサイクル耐量を向上させることが可能な半導体装置、パワーモジュール及びその製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)