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Pub. No.:    WO/2017/183301    International Application No.:    PCT/JP2017/007296
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 27.02.2017
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: SAKAI, Mitsuhiko; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP).
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2016-086255 22.04.2016 JP
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abstract: front page image
(EN)According to the present invention, a silicon carbide substrate comprises: a first impurity region; a second impurity region that is in contact with the first impurity region and has p-type conductivity; a third impurity region that is on the first impurity region and the second impurity region and has n-type conductivity; a body region; and a source region. According to the present invention, a gate insulating film has: a lateral surface that is in contact with the source region, the body region and the third impurity region; and a bottom surface that is in contact with the third impurity region. The second impurity region includes the bottom surface when viewed from the direction perpendicular to the main surface; and the area of the second impurity region is larger than the area of the bottom surface but three times or less the area of the bottom surface. The impurity concentration of the second impurity region is more than 1 × 1019 cm-3 but 1 × 1021 cm-3 or less.
(FR)Selon la présente invention, un substrat en carbure de silicium comprend : une première région d'impureté; une deuxième région d'impureté qui est en contact avec la première région d'impureté et a une conductivité de type p; une troisième région d'impureté qui est sur la première région d'impureté et la deuxième région d'impureté et qui a une conductivité de type n; une région de corps; et une région de source. Selon la présente invention, un film d'isolation de grille comporte : une surface latérale qui est en contact avec la région de source, la région de corps et la troisième région d'impureté; et une surface inférieure qui est en contact avec la troisième région d'impureté. La deuxième région d'impureté comprend la surface inférieure lorsqu'elle est observée depuis la direction perpendiculaire à la surface principale; et l'aire de la deuxième région d'impureté est supérieure à l'aire de la surface inférieure mais trois fois ou moins l'aire de la surface inférieure. La concentration d'impureté de la deuxième région d'impureté est supérieure à 1 × 1019 cm-3 mais de 1 × 1021 cm-3 ou moins.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)