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1. (WO2017183301) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/183301    International Application No.:    PCT/JP2017/007296
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 27.02.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: SAKAI, Mitsuhiko; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP).
TANAKA, So; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2016-086255 22.04.2016 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abstract: front page image
(EN)According to the present invention, a silicon carbide substrate comprises: a first impurity region; a second impurity region that is in contact with the first impurity region and has p-type conductivity; a third impurity region that is on the first impurity region and the second impurity region and has n-type conductivity; a body region; and a source region. According to the present invention, a gate insulating film has: a lateral surface that is in contact with the source region, the body region and the third impurity region; and a bottom surface that is in contact with the third impurity region. The second impurity region includes the bottom surface when viewed from the direction perpendicular to the main surface; and the area of the second impurity region is larger than the area of the bottom surface but three times or less the area of the bottom surface. The impurity concentration of the second impurity region is more than 1 × 1019 cm-3 but 1 × 1021 cm-3 or less.
(FR)Selon la présente invention, un substrat en carbure de silicium comprend : une première région d'impureté; une deuxième région d'impureté qui est en contact avec la première région d'impureté et a une conductivité de type p; une troisième région d'impureté qui est sur la première région d'impureté et la deuxième région d'impureté et qui a une conductivité de type n; une région de corps; et une région de source. Selon la présente invention, un film d'isolation de grille comporte : une surface latérale qui est en contact avec la région de source, la région de corps et la troisième région d'impureté; et une surface inférieure qui est en contact avec la troisième région d'impureté. La deuxième région d'impureté comprend la surface inférieure lorsqu'elle est observée depuis la direction perpendiculaire à la surface principale; et l'aire de la deuxième région d'impureté est supérieure à l'aire de la surface inférieure mais trois fois ou moins l'aire de la surface inférieure. La concentration d'impureté de la deuxième région d'impureté est supérieure à 1 × 1019 cm-3 mais de 1 × 1021 cm-3 ou moins.
(JA)炭化珪素基板は、第1不純物領域と、第1不純物領域に接し、かつp型を有する第2不純物領域と、第1不純物領域および第2不純物領域上にあり、かつn型を有する第3不純物領域と、ボディ領域と、ソース領域とを含む。ゲート絶縁膜は、側面において、ソース領域と、ボディ領域と、第3不純物領域と接し、かつ底面において、第3不純物領域と接している。主面に対して垂直な方向から見て、第2不純物領域は、底面を包含しており、かつ第2不純物領域の面積は、底面の面積より大きく、底面の面積の3倍以下である。第2不純物領域の不純物濃度は、1×1019cm-3を超え、1×1021cm-3以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)