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1. (WO2017183170) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING MODULE, AND ENDOSCOPE DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/183170    International Application No.:    PCT/JP2016/062701
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 22.04.2016
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 2951 Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928507 (JP)
Inventors: KAWAYOKE Shoichiro; (JP)
Agent: ITOH Susumu; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING MODULE, AND ENDOSCOPE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, MODULE D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'ENDOSCOPE
(JA) 半導体デバイス、撮像モジュールおよび内視鏡装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device 20 comprises: a silicon substrate 21; an electrode unit 25 arranged in the thickness direction of the silicon substrate 21; and an annular-surrounding insulating layer 24 in which a first insulating layer 31 and a second insulating layer 32 are integrally formed so as to surround the electrode unit 25, the first insulating layer being made of a silicon oxide film so as to fill in a plurality of trenches 33 formed in the silicon substrate 21, and the second insulating layer 32 being made of a silicon oxide layer modified so as to have partition wall parts 34 formed by erosion due to thermal oxidation for partitioning the plurality of trenches 33.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un substrat en silicium (21) ; une unité d'électrode (25) disposée dans le sens de l'épaisseur du substrat en silicium (21) ; et une couche isolante environnante annulaire (24), dans laquelle une première couche isolante (31) et une seconde couche isolante (32) sont formées d'un seul tenant de manière à entourer l'unité d'électrode (25), la première couche isolante (31) étant constituée d'un film d'oxyde de silicium de façon à remplir une pluralité de tranchées (33) formées dans le substrat en silicium (21), et la seconde couche isolante (32) étant constituée d'une couche d'oxyde de silicium modifiée de façon à obtenir des parties de paroi de cloisonnement (34) formées par érosion due à une oxydation thermique de façon à cloisonner la pluralité de tranchées (33).
(JA)半導体デバイス20は、シリコン基板21と、シリコン基板21の厚さ方向に配設された電極部25と、シリコン基板21に形成された複数の溝部33を埋めるようにシリコン酸化膜によって構成された第1絶縁層31と、複数の溝部33を離隔する隔壁部34が熱酸化によって侵食形成されて改質されたシリコン酸化層によって構成された第2絶縁層32と、が電極部25を囲むように一体的に形成された環囲絶縁層24と、を備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)