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1. (WO2017183126) DEVICE MACHINING METHOD AND DEVICE MACHINING APPARATUS
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Pub. No.: WO/2017/183126 International Application No.: PCT/JP2016/062472
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 20.04.2016
IPC:
H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD.[JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventors: SUGII, Nobuyuki; JP
MACHIDA, Shuntaro; JP
MINE, Toshiyuki; JP
WATANABE, Keiji; JP
FUJISAKI, Koji; JP
KAWAMURA, Tetsufumi; JP
RYUZAKI, Daisuke; JP
MIURA, Katsuya; JP
KINOSHITA, Masaharu; JP
Agent: TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Priority Data:
Title (EN) DEVICE MACHINING METHOD AND DEVICE MACHINING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE DE DISPOSITIF ET APPAREIL D'USINAGE DE DISPOSITIF
(JA) デバイス加工方法およびデバイス加工装置
Abstract: front page image
(EN) This technique suppresses the anisotropy in the physical properties of an object to be scanned by an ion beam in FIB machining. This device machining method uses an ion beam to form a structure body. The device machining method comprises the step of forming the structure body while changing the position of the irradiation by the ion beam. In this step of forming the structure body, each region of the structure body is formed through a plurality of exposures using the same type of ion beam.
(FR) L'invention concerne une technique qui supprime l'anisotropie des propriétés physiques d'un objet à balayer par un faisceau d'ions en usinage par faisceau d'ions focalisé (FIB). Ce procédé d'usinage de dispositif utilise un faisceau d'ions pour former un corps de structure. Le procédé d'usinage de dispositif comprend l'étape consistant à former le corps de structure tout en changeant la position de l'exposition au faisceau d'ions. Dans cette étape de formation du corps de structure, chaque région du corps de structure est formée par une pluralité d'expositions utilisant le même type de faisceau d'ions.
(JA) FIB加工において、イオンビームのスキャンによる対象物の物性の異方性を抑制する技術である。デバイス加工方法は、イオンビームを用いて構造体を形成するデバイス加工方法である。このデバイス加工方法は、構造体をイオンビームの照射位置を変えながら形成する工程を有する。この構造体を形成する工程では、構造体の各領域を、同一種のイオンビームを用いて複数の照射によって形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)