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1. (WO2017182826) COUPLED QUANTUM DOT MEMRISTOR
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Pub. No.:    WO/2017/182826    International Application No.:    PCT/GB2017/051122
Publication Date: 26.10.2017 International Filing Date: 21.04.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Buxton Court 3 West Way Oxford OX2 OJB (GB)
Inventors: LI, Ying; (GB).
BENJAMIN, Simon; (GB).
BRIGGS, George Andrew Davidson; (GB).
MOL, Jan Andries; (GB)
Agent: DEHNS; St Bride's House 10 Salisbury Square London Greater London EC4Y 8JD (GB)
Priority Data:
1607062.5 22.04.2016 GB
Title (EN) COUPLED QUANTUM DOT MEMRISTOR
(FR) MEMRISTANCE À POINTS QUANTIQUES COUPLÉS
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to novel memristive devices, uses thereof, and processes for their preparation. In a first aspect the invention provides a quantum memristor, comprising a first quantum dot (QD1 ) which is capacitively coupled to a second quantum dot (QD2), a source electrode, a drain electrode, and a bath electrode, wherein said source electrode and said drain electrode are coupled via quantum tunnelling to QD1 and said bath electrode is coupled via quantum tunnelling to QD2, and wherein QD2 is capacitively coupled to either the source electrode or the drain electrode.
(FR)La présente invention concerne de nouveaux dispositifs memristifs, leurs utilisations et des procédés pour leur préparation. Dans un premier aspect, l'invention concerne une memristance quantique, comprenant un premier point quantique (QD1) qui est couplé de manière capacitive à un second point quantique (QD2), une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de bain, ladite électrode de source et ladite électrode de drain étant couplées par effet tunnel quantique à QD1 et ladite électrode de bain étant couplée par effet tunnel quantique à QD2, et QD2 étant couplé de manière capacitive à l'électrode de source ou à l'électrode de drain.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)