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Pub. No.: WO/2017/179504 International Application No.: PCT/JP2017/014516
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 07.04.2017
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventors: MIYAMOTO Tadayoshi; --
ODA Akihiro; --
Agent: AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
Priority Data:
(JA) 薄膜トランジスタ
Abstract: front page image
(EN) According to the present invention, a gate driver TFT 30 is provided with: a gate electrode 30a; a channel part 30d which is superimposed on the gate electrode 30a, with a gate insulating film 16 being interposed therebetween, and which is composed of an oxide semiconductor film 17 that is a semiconductor film; a source electrode 30b which is connected to one end of the channel part 30d; a drain electrode 30c which is connected to the other end of the channel part 30d; and an intermediate electrode 22 which is connected to the channel part 30d at a position where the distance L1 from the position to the drain electrode 30c is longer than the distance L2 from the position to the source electrode 30b.
(FR) La présente invention concerne un TFT d’attaque de grille (30) qui comporte : une électrode de grille (30a) ; une partie de canal (30d) qui est superposée sur l’électrode de grille (30a), une pellicule isolante (16) de grille étant intercalée entre elles, et qui est composé d’une pellicule semi-conductrice d’oxyde (17) qui est une pellicule semi-conductrice ; une électrode de source (30b) qui est connectée à une extrémité de la partie de canal (30d) ; une électrode de drain (30c) qui est connectée à l’autre extrémité de la partie de canal (30d) ; et une électrode intermédiaire (22) qui est connectée à la partie de canal (30d) à une position où la distance (L1) entre la position et l’électrode de drain (30c) est supérieure à la distance (L2) entre la position et l’électrode de source (30b).
(JA) ゲートドライバTFT30は、ゲート電極30aと、ゲート電極30aに対してゲート絶縁膜16を介して重畳し半導体膜である酸化物半導体膜17からなるチャネル部30dと、チャネル部30dの一端側に接続されるソース電極30bと、チャネル部30dの他端側に接続されるドレイン電極30cと、チャネル部30dのうち、ソース電極30bまでの距離L2よりもドレイン電極30cまでの距離L1の方が大きくなる位置に接続される中間電極22と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)