WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017179440) SPIN-POLARIZED HIGH BRIGHTNESS ELECTRON GENERATING PHOTOCATHODE AND METHOD FOR MANUFACTURING FOR SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/179440    International Application No.:    PCT/JP2017/013496
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 30.03.2017
IPC:
H01J 1/34 (2006.01), H01J 9/12 (2006.01)
Applicants: INTER-UNIVERSITY RESEARCH INSTITUTE CORPORATION HIGH ENERGY ACCELERATOR RESEARCH ORGANIZATION [JP/JP]; 1-1, Oho, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050801 (JP)
Inventors: KIN Shuko; (JP).
TAKEDA Yoshikazu; (JP).
YAMAMOTO Masahiro; (JP).
KAMIYA Yukihide; (JP)
Agent: NAKAGAWA Kunio; (JP)
Priority Data:
2016-081955 15.04.2016 JP
Title (EN) SPIN-POLARIZED HIGH BRIGHTNESS ELECTRON GENERATING PHOTOCATHODE AND METHOD FOR MANUFACTURING FOR SAME
(FR) PHOTO-CATHODE DE GÉNÉRATION D'ÉLECTRONS À HAUTE LUMINOSITÉ ET À POLARISATION DE SPIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) スピン偏極高輝度電子発生フォトカソード及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] The objective of the present invention is to provide a spin-polarized high brightness electron generating photocathode for backside illumination which has a simple construction, and to provide a method for manufacturing the same. [Solution] A thin film of a single-crystal compound semiconductor having negative electron affinity (NEA) is caused to form on a single-crystal substrate having nanometer surface flatness. This spin-polarized high brightness electron generating photocathode can be manufactured by metal-organic vapor phase epitaxy.
(FR)La présente invention a pour but de fournir une photo-cathode de génération d'électrons à haute luminosité et à polarisation de spin, pour un éclairage par l'arrière, qui présente une construction simple, ainsi que son procédé de fabrication. Pour atteindre ce but, un film mince d'un semi-conducteur composé monocristallin présentant une affinité électronique négative (NEA) est amené à se former sur un substrat monocristallin présentant une planéité de surface nanométrique. Cette photo-cathode de génération d'électrons à haute luminosité et à polarisation de spin peut être fabriquée par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques.
(JA)【課題】本発明は、簡易な構造を有する裏面照射用のスピン偏極高輝度電子発生フォトカソード及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ナノメートルの表面平坦性を有する単結晶基板の上にNEA性を有する単結晶化合物半導体の薄膜を形成させる。本発明スピン偏極高輝度電子発生フォトカソードは、有機金属気相成長法を用いて製造することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)