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1. (WO2017179333) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/179333    International Application No.:    PCT/JP2017/008590
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 03.03.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: TODA Satoshi; (JP).
TAKAHASHI Tetsuro; (JP)
Agent: TAKAYAMA Hiroshi; (JP)
Priority Data:
2016-081682 15.04.2016 JP
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Abstract: front page image
(EN)A substrate processing method for implementing predetermined processing using a substrate processing device provided with: two processing units (11a, 11b) which respectively implement substrate processing with respect to two substrates to be processed; a gas supply mechanism (14) which supplies a gas to the processing units (11a, 11b) independently; and a common exhaust mechanism (15) which exhausts the gas in the processing units (11a, 11b) at once. The substrate processing method comprises: performing a first mode in which HF gas and NH3 gas are supplied to the processing unit (11a) without supplying HF gas to the processing unit (11b); then, performing a second mode in which HF gas and NH3 gas are supplied to the processing units (11a, 11b) under the same gas condition; and, in the first mode, preventing the occurrence of a pressure difference in the processing units (11a, 11b).
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de substrat destiné à mettre en œuvre un traitement prédéterminé en utilisant un dispositif de traitement de substrat comprenant : deux unités de traitement (11a, 11b) qui mettent respectivement en œuvre un traitement de substrat en considération de deux substrats à traiter ; un mécanisme d'alimentation en gaz (14) qui fournit indépendamment un gaz aux unités de traitement (11a, 11b) ; et un mécanisme d'évacuation commun (15) qui évacue le gaz dans les unités de traitement (11a, 11b) en une seule fois. Le procédé de traitement de substrat comprend : réalisation d'un premier mode dans lequel du gaz HF et du gaz NH3 sont fournis à l'unité de traitement (11a) sans fournir de gaz HF à l'unité de traitement (11b) ; puis réalisation d'un deuxième mode dans lequel du gaz HF et du gaz NH3 sont fournis aux unités de traitement (11a, 11b) dans le même état de gaz ; et, dans le premier mode, empêchement de l'apparition d'une différence de pression dans les unités de traitement (11a, 11b).
(JA)2枚の被処理基板に対してそれぞれ基板処理を施す2つの処理部(11a,11b)と、処理部(11a,11b)に対してガスを独立に供給するガス供給機構(14)と、処理部(11a,11b)内のガスを一括して排気する共通の排気機構(15)とを備えた基板処理装置を用いて所定の処理を施す際に、処理部(11a)に対してはHFガスおよびNHガスを供給し、処理部(11b)に対してはHFガスを供給しない第1のモードを行い、次いで、処理部(11a,11b)に対してHFガスおよびNHガスを同一のガス条件で供給する第2のモードを行い、第1のモードの際に、処理部(11a,11b)における圧力差が生じることを阻止するようにする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)