WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017179317) CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SOLAR CELL MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/179317    International Application No.:    PCT/JP2017/007304
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 27.02.2017
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/054 (2014.01)
Applicants: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventors: ADACHI, Daisuke; (JP)
Agent: SHINTAKU, Masato; (JP).
YOSHIMOTO, Tsutomu; (JP)
Priority Data:
2016-080195 13.04.2016 JP
Title (EN) CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM CRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORRESPONDANTE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
Abstract: front page image
(EN)A solar cell (100) comprises: an intrinsic silicon thin film (21), a conductive silicon thin film (31), a light-receiving-surface transparent electrode layer (41), and light-receiving surface metal electrodes (71), provided in that order upon a first main surface of a crystalline silicon substrate (1); and an intrinsic silicon thin film (22), a conductive silicon thin film (32), a back-surface transparent electrode layer (42), and back-surface metal electrodes (72), provided in that order upon a second main surface of the crystalline silicon substrate (1). The crystalline silicon substrate (1) has a texture on the first main surface and the second main surface. The light-receiving-surface metal electrodes (71) and the back-surface metal electrodes (72) are all provided in a pattern. The back-surface transparent electrode layer (42) is not provided on the periphery of the second main surface. At the periphery of the second main surface, an end planarizing metal layer (75) is provided spaced apart from the back-surface transparent electrode layer (42).
(FR)Une cellule solaire (100) comprend : un film mince de silicium intrinsèque (21), un film mince de silicium conducteur (31), une couche d'électrode transparente de surface de réception de lumière (41), et des électrodes métalliques de surface de réception de lumière (71), disposés dans cet ordre sur une première surface principale d'un substrat de silicium cristallin (1) ; et un film mince de silicium intrinsèque (22), un film mince de silicium conducteur (32), une couche d'électrode transparente de surface arrière (42), et des électrodes métalliques de surface arrière (72), disposés dans cet ordre sur une seconde surface principale du substrat de silicium cristallin (1). Le substrat de silicium cristallin (1) comporte une texture sur la première surface principale et sur la seconde surface principale. Les électrodes métalliques de surface de réception de lumière (71) et les électrodes métalliques de surface arrière (72) sont toutes disposées selon un motif. La couche d'électrode transparente de surface arrière (42) n'est pas disposée sur la périphérie de la seconde surface principale. À la périphérie de la seconde surface principale, une couche métallique de planarisation d'extrémité (75) est disposée à distance de la couche d'électrode transparente de surface arrière (42).
(JA)太陽電池(100)は、結晶シリコン基板(1)の第一主面上に順に設けられた、真性シリコン系薄膜(21)、導電型シリコン系薄膜(31)、受光面透明電極層(41)および受光面金属電極(71)と、結晶シリコン基板(1)の第二主面上に順に設けられた、真性シリコン系薄膜(22)、導電型シリコン系薄膜(32)、裏面透明電極層(42)、および裏面金属電極(72)と、を備える。結晶シリコン基板(1)は、第一主面および第二主面にテクスチャを有する。受光面金属電極(71)および裏面金属電極(72)は、いずれもパターン状に設けられている。裏面透明電極層(42)は、第二主面の周縁には設けられていない。第二主面の周縁には、端部平坦化金属層(75)が、裏面透明電極層(42)と離間して設けられている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)