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1. (WO2017179314) SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/179314    International Application No.:    PCT/JP2017/007108
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 24.02.2017
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: TSUKAMOTO, Masanori; (JP)
Agent: KAMEYA, Yoshiaki; (JP).
KANEMOTO, Tetsuo; (JP).
HAGIWARA, Yasushi; (JP).
MATSUMOTO, Kazunori; (JP)
Priority Data:
2016-080397 13.04.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体記憶素子、および電子機器
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a semiconductor storage element and an electronic device wherein the reliability of stored information can be improved. [Solution] A semiconductor storage element comprising: a first transistor including a gate insulating film at least a portion of which is made of a ferroelectric material; a second transistor with either a source or a drain connected to the gate of the first transistor; and a third transistor with either a source or a drain connected to the drain of the first transistor. The semiconductor storage elements are arranged in a matrix. Each second and third transistor has the gate connected to a word line and has the other of the source or the drain connected to a bit line.
(FR)L’invention fournit un élément de stockage à semi-conducteur permettant d'améliorer la fiabilité d’informations stockées, et un appareil électronique. L’élément de stockage à semi-conducteur de l’invention est équipé : d’un premier transistor qui possède un film d’isolation de grille dont au moins une partie est constituée d’un matériau ferroélectrique ; d’un second transistor qui est connecté à la grille du premier transistor au moyen d’une source ou d’un drain ; d’un troisième transistor qui est connecté au drain du premier transistor au moyen d’une source ou un drain. Le second et le troisième transistor disposés sous forme de matrice sont connectés à un canal mot par la grille, et sont connectés à un canal bit au moyen de la source ou du drain.
(JA)【課題】記憶された情報に対する信頼性を向上させた半導体記憶素子、および電子機器を提供する。 【解決手段】少なくとも一部が強誘電体材料からなるゲート絶縁膜を有する第1トランジスタと、ソースまたはドレインの一方で前記第1トランジスタのゲートと接続する第2トランジスタと、ソースまたはドレインの一方で前記第1トランジスタのドレインと接続する第3トランジスタと、を備え、マトリクス状に配置されており、前記第2および第3トランジスタの各々は、ゲートでワード線と接続し、前記ソースまたはドレインの他方でビット線と接続する、半導体記憶素子。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)