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1. (WO2017179264) HEAT DISSIPATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/179264 International Application No.: PCT/JP2017/002440
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 25.01.2017
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
34
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
36
Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heat sinks
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
34
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
40
Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements
Applicants:
オムロン株式会社 OMRON CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町801番地 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530, JP
Inventors:
西川 武男 NISHIKAWA Takeo; JP
俵木 隆圭 TAWARAGI Takayoshi; JP
大村 英一 OMURA Eiichi; JP
Agent:
特許業務法人あーく特許事務所 ARC PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市北区曽根崎1丁目1番2号 1-2, Sonezaki 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300057, JP
Priority Data:
2016-08196315.04.2016JP
Title (EN) HEAT DISSIPATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の放熱構造
Abstract:
(EN) Disclosed is a heat dissipation structure (103) of a semiconductor device (10) that has: an electrical connection surface (11a) that is electrically connected to a substrate (20); and a heat dissipating surface (11b) on the reverse side of the electrical connection surface. The heat dissipating surface (11b) is in contact with a heat spreader (31) via a conductive thermal interface material (TIM) (33), the heat spreader (31) is in contact with a heat sink (30) via an insulating TIM (43), and a heat spreader (31) surface on the semiconductor device (10) side has a recessed portion (31a) at least in a part close to the outer periphery of the semiconductor device (10).
(FR) L'invention concerne une structure (103) de dissipation de chaleur d'un dispositif (10) à semi-conducteur, qui comprend: une surface (11a) de connexion électrique qui est reliée électriquement à un substrat (20); et une surface (11b) de dissipation de chaleur sur le côté opposé de la surface de connexion électrique. La surface (11b) de dissipation de chaleur est en contact avec un diffuseur (31) de chaleur via un matériau d'interface thermique (TIM) conducteur (33), le diffuseur (31) de chaleur est en contact avec un dissipateur thermique (30) via un TIM isolant (43), et une surface du diffuseur (31) de chaleur côté dispositif (10) à semi-conducteur comprend une partie évidée (31a) au moins dans une partie proche de la périphérie extérieure du dispositif (10) à semi-conducteur.
(JA) 基板(20)と電気的に接続される電気的接合面(11a)と、その反対側の放熱面(11b)とを有する半導体デバイス(10)の放熱構造(103)であって、放熱面(11b)が導電性TIM(33)を介してヒートスプレッダ(31)に接触するとともに、このヒートスプレッダ(31)が絶縁性TIM(43)を介してヒートシンク(30)に接触しており、ヒートスプレッダ(31)の半導体デバイス(10)側の面が、半導体デバイス(10)の外周の近傍の少なくとも一部に凹部(31a)を有している。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)