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1. (WO2017179112) CONVERTER AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME
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Pub. No.: WO/2017/179112 International Application No.: PCT/JP2016/061757
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 12.04.2016
IPC:
H02M 7/12 (2006.01) ,H02M 7/483 (2007.01)
Applicants: TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION[JP/JP]; 3-1-1 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Inventors: OHNISHI, Keisuke; JP
ABE, Shoichi; JP
SANADA, Kazunori; JP
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
Title (EN) CONVERTER AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME
(FR) CONVERTISSEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE UTILISANT CELUI-CI
(JA) コンバータおよびそれを用いた電力変換装置
Abstract: front page image
(EN) A converter of the present invention is provided with: a first diode (D1), in which the anode and the cathode are connected to an input terminal (T0) and a first output terminal (T1), respectively; a second diode (D2), in which the anode and the cathode are connected to a second output terminal (T2) and the input terminal, respectively; a first transistor (Q1) connected between the first output terminal and the input terminal; a second transistor (Q2) connected between the input terminal and the second output terminal; and a bidirectional switch, which is connected between the input terminal and a third output terminal (T3), and which includes third to sixth diodes (D3-D6) and a third transistor (Q3). The first diode, the second diode, and the third transistor are formed of a wide bandgap semiconductor, and the first and second transistors and the third to sixth diodes are formed of a semiconductor excluding the wide bandgap semiconductor.
(FR) La présente invention concerne un convertisseur qui comprend : une première diode (D1), dans laquelle l'anode et la cathode sont respectivement reliées à une borne d'entrée (T0) et à une première borne de sortie (T1); une deuxième diode (D2), dans laquelle l'anode et la cathode sont respectivement reliées à une deuxième borne de sortie (T2) et à la borne d'entrée; un premier transistor (Q1) relié entre la première borne de sortie et la borne d'entrée; un deuxième transistor (Q2) relié entre la borne d'entrée et la deuxième borne de sortie; et un commutateur bidirectionnel, qui est relié entre la borne d'entrée et une troisième borne de sortie (T3) et qui comprend des troisième à sixième diodes (D3-D6) et un troisième transistor (Q3). La première diode, la deuxième diode et le troisième transistor sont constitués d'un semiconducteur à large bande interdite, et les premier et deuxième transistors ainsi que les troisième à sixième diodes sont constitués d'un semiconducteur à l'exclusion du semiconducteur à large bande interdite.
(JA) コンバータは、アノードおよびカソードがそれぞれ入力端子(T0)および第1の出力端子(T1)に接続された第1のダイオード(D1)と、アノードおよびカソードがそれぞれ第2の出力端子(T2)および入力端子に接続された第2のダイオード(D2)と、第1の出力端子および入力端子間に接続された第1のトランジスタ(Q1)と、入力端子および第2の出力端子間に接続された第2のトランジスタ(Q2)と、入力端子および第3の出力端子(T3)間に接続され、第3~第6のダイオード(D3~D6)および第3のトランジスタ(Q3)を含む双方向スイッチとを備える。第1のダイオード、第2のダイオード、および第3のトランジスタの各々はワイドバンドギャップ半導体で形成され、第1および第2のトランジスタと第3~第6のダイオードの各々はワイドバンドギャップ半導体以外の半導体で形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)