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1. (WO2017178693) APPARATUS FOR SENSING RADIATION
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Pub. No.:    WO/2017/178693    International Application No.:    PCT/FI2017/050165
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 14.03.2017
IPC:
G01T 1/24 (2006.01), G01T 1/26 (2006.01)
Applicants: NOKIA TECHNOLOGIES OY [FI/FI]; Karaportti 3 02610 Espoo (FI)
Inventors: RADIVOJEVIC, Zoran; (GB).
BRUNA, Matteo; (GB)
Agent: NOKIA TECHNOLOGIES OY; Ari Aarnio IPR Department Karakaari 7 02610 Espoo (FI).
UUSITALO, Arttu; (FI)
Priority Data:
16165169.0 13.04.2016 EP
16206847.2 23.12.2016 EP
Title (EN) APPARATUS FOR SENSING RADIATION
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)An apparatus for sensing radiation is provided. Certain examples provide an apparatus (100) comprising: a first layer (101) comprising a sensor (101a(1)), wherein the sensor is configured to be responsive to changes in an electric field in the vicinity of the sensor; a second layer (102) comprising a substrate (102a) configured to produce charge carriers (102b) in response to incident radiation (104); and a third layer (103) comprising a plurality of electrodes (103a(1)-103a(j)), wherein the plurality of electrodes are configured to be selectively addressed during a readout operation of the sensor. Certain examples, relate to an apparatus for sensing X-rays or sensing neutrons comprising a graphene field effect transistor (GFET).
(FR)L’invention concerne un appareil de détection de rayonnement. Certains exemples concernent un appareil (100) comprenant : une première couche (101) comprenant un capteur (101a(1)), le capteur étant configuré pour être sensible à des changements dans un champ électrique au voisinage du capteur ; une deuxième couche (102) comprenant un substrat (102a) configuré pour produire des porteurs de charge (102b) en réponse à un rayonnement incident (104) ; et une troisième couche (103) comprenant une pluralité d'électrodes (103a(1) - 103a(j)), la pluralité d'électrodes étant configurées pour être adressées de manière sélective pendant une opération de lecture du capteur. Certains exemples concernent un appareil de détection de rayons X ou de détection de neutrons comprenant un transistor à effet de champ en graphène (GFET).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)