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1. (WO2017177376) LARGE-CURRENT READOUT FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL THIN FILM MEMORY, AND PREPARATION METHOD AND OPERATING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2017/177376 International Application No.: PCT/CN2016/079068
Publication Date: 19.10.2017 International Filing Date: 12.04.2016
IPC:
G11C 11/22 (2006.01) ,H01L 27/115 (2017.01)
Applicants: FUDAN UNIVERSITY[CN/CN]; No.220 Handan Road Yangpu District Shanghai 200000, CN
Inventors: JIANG, Anquan; CN
GENG, Wenping; CN
Agent: CHINA PATENT AGENT (HK) LTD.; 22/F., Great Eagle Center 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Priority Data:
Title (EN) LARGE-CURRENT READOUT FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL THIN FILM MEMORY, AND PREPARATION METHOD AND OPERATING METHOD THEREFOR
(FR) MÉMOIRE À COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE FERROÉLECTRIQUE DE LECTURE À COURANT DE FORTE INTENSITÉ ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION ET D'UTILISATION ASSOCIÉS
(ZH) 大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法
Abstract: front page image
(EN) A non-destructive large-current readout ferroelectric single crystal thin film memory, and a preparation method and operating method therefor, wherein same fall within the technical field of ferroelectric storage. A ferroelectric thin film layer (105) used in the non-destructive large-current readout ferroelectric single crystal thin film memory is a ferroelectric single crystal thin film layer, so that a read current in an ON state is greatly increased, and the data retention characteristic and the data persistence characteristic of same are improved.
(FR) L'invention concerne une mémoire à couche mince monocristalline ferroélectrique de lecture à courant de forte intensité non destructive, ainsi qu'un procédé de préparation et un procédé d'utilisation associés, l'invention ayant trait au domaine technique du stockage ferroélectrique. Une couche de film mince ferroélectrique (105) mise en oeuvre dans la mémoire à couche mince monocristalline de lecture à courant de forte intensité non destructive selon l'invention est une couche de film mince monocristallin ferroélectrique, de sorte qu'un courant de lecture dans un état actif soit considérablement augmenté et que les caractéristiques de rétention des données et de persistance des données de ladite couche soient améliorées.
(ZH) 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法,属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层,在开态下的读电流大大增加,并且,数据保持特性和数据持久特性得到提升。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)