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1. (WO2017176649) APPARATUS AND METHODS FOR MEASURING PROPERTIES IN A TSV STRUCTURE USING BEAM PROFILE REFLECTOMETRY
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Pub. No.:    WO/2017/176649    International Application No.:    PCT/US2017/025780
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 03.04.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: NICOLAIDES, Lena; (US).
GOODWIN, Timothy; (US).
TAN, Raul; (US).
LI, Shifang; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M. N.; (US)
Priority Data:
15/091,522 05.04.2016 US
Title (EN) APPARATUS AND METHODS FOR MEASURING PROPERTIES IN A TSV STRUCTURE USING BEAM PROFILE REFLECTOMETRY
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS DE MESURE DE PROPRIÉTÉS DANS UNE STRUCTURE TSV PAR MESURE DE RÉFLECTIVITÉ DE PROFIL DE FAISCEAU
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are methods and apparatus for measuring a characteristics of a through-silicon via (TSV) structure. A beam profile reflectivity (BPR) tool is used to move to a first xy position having a TSV structure. The BPR tool is then used to obtain an optimum focus of at the first xy position by adjusting the z position to a first optimum z position for obtaining measurements at the first xy position. Via the BPR tool, reflectivity measurements for a plurality of angles of incidence are obtained at the first xy position. One or more film thicknesses for the TSV structure are determined based on the reflectivity measurements. A z position can also be recorded and used to determine a height of such TSV structure, as well as one or more adjacent xy positions.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil de mesure de caractéristiques d'une structure de trou d'interconnexion traversant le silicium (TSV). Un outil de réflectivité de profil de faisceau (BPR) est utilisé pour se déplacer jusqu'à une première position xy comprenant une structure TSV. L'outil BPR est ensuite utilisé pour obtenir une mise au point optimale à la première position xy par ajustement de la position z à une première position z optimale pour obtenir des mesures à la première position xy. Des mesures de réflectivité pour une pluralité d'angles d'incidence sont obtenues par l'intermédiaire de l'outil BPR à la première position xy. Une ou plusieurs épaisseurs de film pour la structure TSV sont déterminées sur la base des mesures de réflectivité. Une position z peut également être enregistrée et utilisée pour déterminer la hauteur de cette structure TSV, ainsi qu'une ou plusieurs positions xy adjacentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)